光电检测技术与应用第二章光电检测器件.ppt

第二章 光电检测技术基础 光的基本性质 辐射与光度学量 半导体基础知识 光电效应 一、光的基本性质 牛顿——微粒说 根据光直线传播现象，对反射和折射做了解释 不能解释较为复杂的光现象：干涉、衍射和偏振 波动理论 惠更斯、杨氏和费涅耳等 解释光的干涉和衍射现象 麦克斯韦电磁理论：光是一种电磁波 光的基本性质 光量子说 1900年普朗克在研究黑体辐射时，提出辐射的量子论 1905年，爱因斯坦在解释光电发射现象时提出光量子的概念 光子的能量与光的频率成正比 光具有波粒二象性 （一）辐射度的基本物理量 辐射能Qe ：一种以电磁波的形式发射、传播或接收的能量。单位：焦耳[J] 辐射通量Φe：单位时间内通过一定面积发射、传播或接收的能量，又称辐射功率Pe，是辐射能的时间变化率。单位：瓦［Ｗ］ 辐射强度Ｉe：点辐射源在给定方向上通过单位立体角内的辐射通量。单位：［W/Sr］ 辐射度的基本物理量 辐射照度Ee：投射在单位面积上的辐射通量。单位：［W/m2］ 辐射出射度Ｍe ：扩展辐射源单位面积所辐射的通量（也称辐射本领）。单位：［W/m2］ 辐射亮度Ｌe ：辐射表面定向发射的辐射强度。单位：［W/m2．Sr］ 光谱辐射通量Φe（λ）：辐射通量的光谱密度，即单位波长间隔内的辐射通量。 （二）光度量的最基本单位 发光强度Iv：发出波长为555nm的单色辐射，在给定方向上的发光强度规定为1cd。单位：坎德拉（Candela）［cd］，它是国际单位制中七个基本单位之一。 光通量Φv：光强度为1cd的均匀点光源在1sr内发出的光通量。单位：流明［lm］。 光照度Ev：单位面积所接收的入射光的量 ，单位：勒克斯［lx］，相当于 1平方米面积上接受到1个流明的光通量。 光度的基本物理量 光度量和辐射度量的定义、定义方程是一一对应的。辐射度量下标为e，例如Qe，Φe，Ie，Me，Ee，光度量下标为v，Qv，Φv，Iv，Lv，Mv，Ev。 光度量只在可见光区（３８０——７6０nm)才有意义。 辐射度量和光度量都是波长的函数。 三、半导体基础知识 导体、半导体和绝缘体 半导体的特性 半导体的能带结构 本征半导体与杂质半导体 平衡和非平衡载流子 载流子的输运过程 半导体的光吸收 PN结 （一）导体、半导体和绝缘体 自然存在的各种物质，按物质存在的形态分为气体、液体、固体。 固体按导电能力可分为：导体、绝缘体和介于两者之间的半导体。 物体的导电性能常用电阻率来表示。 电阻率：即是某种物体单位长度及单位截面积的体积内的电阻值。 电阻率越小，越容易导电；电阻率越大，越难导电。 电阻率10-6 ~10-3欧姆?厘米范围内——导体 电阻率1012欧姆?厘米以上——绝缘体 电阻率介于导体和绝缘体之间——半导体 绝大多数半导体都是晶体，它们内部的原子都按照一定的规律排列着。因此，人们往往又把半导体材料称为晶体。 （二）半导体的特性 半导体电阻温度系数一般是负的，而且对温度变化非常敏感。温度变化时，半导体的电阻率变化却很激烈；每升高1度，它的电阻率下降达百分之几到百分之几十，不仅如此，当温度较高时，整体电阻甚至下降到很小，以致变成和导体一样。根据这一特性，做成热电探测器件。 半导体的导电性受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。（纯净Si在室温下电导率为5*10-6/(欧姆?厘米)。掺入硅原子数百万分之一的杂质时，电导率为2 /(欧姆?厘米)) 半导体导电能力及性质受光、电、磁等作用的影响而发生变化。 半导体的能带结构 电子以能量大小为序,从基态开始,每个量子态上一个电子向上填充,直填到费米能εF为止。再上面的能级都是空的。 被电子填满的能带叫满带。 满带中的电子如同很多人挤在一个狭小的空间,谁也动不了。所以,虽然有许多电子,但是不能形成定向移动,因而满带中的电子不是载流子,是不能导电的。 全部空着的能带称为空带。 能带间的间隔叫带隙(用Eg表示)或禁带,禁带不允许有电子存在。图1所示的是导体、绝缘体、半导体的能带结构示意图。 如图1(a)所示,导体的费米能级εF在一个能带的中央,该能带被部分填充。由于能带的亚结构之间的能量相差很小,因此这时只需很少的能量(如一外加电场),就能把电子激发到空的能级上,形成定向移动的电流。这正是具有这种能带结构的物质被称为导体的原因。 如果某一能带刚好被填满,它与上面的空带间隔着一个禁带,此时大于带隙间隔的能量才能把电子激发到空带上去。一般带隙较大(大于10eV数量级)的物质,被称为绝缘体,如图1(b)所示;而带隙较小(小于1eV数量级)的物质,被称为半导体,如图1(c)所示。半导体的费米能级位于满带与空带之间的禁带内,此时紧邻着禁带的满带称为价带,而上面的空带称为导带。如果由于某种