清华大学计算机原理课件第四章半导体存储器1of2114103895.ppt

№ * 存储芯片的字、位同时扩展： 用16K×4bit的芯片扩展实现64KB存储器 16K*4 16K*4 D0 ~D3 D4~ D7 16K*4 16K*4 16K*4 16K*4 16K*4 16K*4 首先对芯片分组进行位扩展，以实现按字节编址； 其次设计芯片组的片选进行字扩展，以满足容量要求； 64K*8 A0 ~ A15 D0 ~ D7 R/W CS 等效为 A0~ A13 R/W 2－4 译码器 A15 A14 CS № * 计算机的存储器系统 以字节(Byte)为单位,1B＝8b 1KB=210B 1MB=220B 1GB=230B 每字节占用1个存储器地址n (n)和(n+1)合起来存1个字 (n)～(n+3)合起来存1个双字 地址 n n+1 n+2 n+3 ? 内容 8bit 8bit 8bit 8bit ? 首地址n即这个字,双字的地址 № * 片选信号CS 更大的存储空间需要多片存储器芯片共同组成，CPU每次从多片中选择1片访问。 芯片n R/ W 芯片1 芯片0 ．．． 片选CSn 片选CS1 片选CS0 存储器地址译码 地址总线 AB 数据总线 DB 控制信号 № * §4．2 RAM电路 一、静态RAM—例如6116 特点：n条地址可寻址2n组 m条数据线对应每组内有m位 № * 27×24×23 16K bit P192图4.3 6116管脚和功能图 静态RAM举例--6116 §4．2 RAM电路 n条地址可寻址2n组 m条数据线对应每组内有m位 . № * 　 特点：行／列地址分时复用地址引脚, 故芯片n条地址引脚可得22ｎ组地址 二、动态RAM举例--2164 № * 2164A引脚图 地址线A0 ~ A7 8条地址线采用分时复用的 方法获得存储单元寻址所需的16 条地址线的高8位和低8位地址线。 数据线 数据存DIN和数据取DOUT № * 控制线WE、CAS、RAS WE为读写数据允许，低电平输入时写有效； 高电平输入时读有效； CAS为行地址选通，低电平输入有效； RAS为列地址选通，低电平输入有效。 电源线 Vcc、Vss 2164ADRAM芯片的供电电压为5V № * P194图4.6 Intel 2164A 内部结构示意图 27×27×4=64kb № * 2164ADRAM的读写时序 № * §4.3 ROM电路 掩模型ROM 可编程型PROM 光擦除型EPROM 电擦除型EEPROM 1. 掩模型ROM 固定掩膜ROM的基本存储单元用单管构成，集成度较高。由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只可读。用户不能修改其内容。 2.可编程型PROM 用双极型三极管构成基本存储单元。用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改写。 № * 3. EPROM—光擦除型 由浮栅雪崩注入的FAMOS器件构成。用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的PN结表面形成浮动栅，阻挡通路，实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便可再次改写。 № * 4. 电擦除型EEPROM 既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又能失电保存信息，具备RAM、ROM的优点。但写入时间较长。 № * §4.3 ROM电路 EEPROM（电可擦可编程）例 (2K×8bit)（并行） P205图4.20 2816的逻辑符号 № * P205 EEPROM 2816引脚和工作方式 № * 三、快闪存储器（Flash Memory） EPROM结构：绝缘栅存储信息 EEPROM擦／写方式 集成度高 原理上：FLASH属于ROM型，但可随时改写信息 功能上：FLASH相当于RAM 计算机原理与应用 * 其他：如穿孔纸带，光盘。 计算机原理与应用 * 其他：如穿孔纸带，光盘。 计算机原理与应用 * 也可知，可用8个单一位组成一组 计算机原理与应用 * 也可知，可用8个单一位组成一组 计算机原理与应用 * 2^7*2^4*(2^3)=16Kb 计算机原理