第四章mos逻辑集成电路6.pptVIP

本章主题 MOSFET结构及工作原理（补充） CMOS基本逻辑单元 静态逻辑和动态CMOS电路 BiCMOS逻辑集成电路 MOS存储器 MOS存储器 存储器的分类和总体结构 DRAM SRAM 只读存储器ROM 非易失性存储器 存储器分类 存放数据和程序的部件 MOS工艺主流 主要指标：存储量和工作速度 挥发性（Volatile）RAM DRAM（内存）用电容存储信息 SRAM：静态存储方式，双稳态电路 不挥发性（Nonvolatile）ROM Mask ROM PROM EPROM EEPROM Flash（闪存）集成度高 总体结构 单元陈列—存储信息 译码器—选择单元 地址缓冲器—输入缓冲，产生正、反码；提高足够大的驱动电流（扇出很大） 灵敏放大器—放大位线传出的信号 数据I/O缓冲器 控制电路—用少量几个外部控制信号产生一系列内部控制信号 容量=行数×列数 MOS存储器 存储器的分类和总体结构 DRAM SRAM 只读存储器ROM 非易失性存储器 刷新操作 漏电流：1纳安； 存储电容：500fF 求高电平变化1伏时的时间？ 工作原理续（图4-47） MOS管栅电容上的电荷来存储信息 单管单元结构成为标准的DRAM单元电路形式 动态单管存储器：1T1C单元 MOS管T做为门控制管，控制数据进出 电容Cs作为存储信息 栅接读/写选择线（字线） 源和漏分别接数据线（位线）和存储电