采用alsb缓冲层生长2.3μmingaassbalgaassb多量子阱结构 growing of 2.3 μm ingaassbalgaassb multi-quantum-well via alsb buffers.pdfVIP

第22卷第8期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．22．No．8 2010年8月 HIGHPOWERLASE：RANDPARTICLEBEAMS Aug．，2010 文章编号：1001—4322(2010)08—1716-03 采用AISb缓冲层生长2．3 pm 尤明慧， 高 欣， 李占国， 刘国军， 李 林， 李 梅， 王晓华 (长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春130022) 摘要： 过X一射线测试，有多级衍射卫星峰出现，表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好，引入AISb缓冲层可以降 低衬底与外延层之间的界面自由能，使AISb起到了一个滤板的作用，抑制了位错的扩散。光荧光谱测试表明， 室温下量子阱结构中心发光波长在2．3 btm附近。 关键词：A1Sb缓冲层；InGaAsSb／AIGaAsSb多量子阱；中红外；锑化物 中图分类号：TN24；TN303文献标志码： A doi：10．3788／HPI。P1716 23扯m中红外波段包括了许多重要的分子特征谱线，并且是空气中相对透明的窗口，特别是近年来，中 红外激光得到了广泛应用：大气光学检测和环境监测、自由空间光通讯、红外测试、清洁能源、煤矿安全、分子光 谱测量、激光医疗、红外雷达、生物技术和热成像等¨-6]。锑化物材料以其独特的能带结构和在中红外激光器等 领域的应用前景，成为2～3p．m中红外波段半导体激光器的首选材料。尽管世界上许多研究机构开展了中红 外锑化物半导体激光器件的研究工作，但是由于研究还不成熟，以及大规模商用难于实现等方面的缺点，正阻 板的作用，抑制了位错的扩散。实验中研究了不同A1Sb缓冲层厚度对多量子阱外延质量的影响，缓冲层的生 长厚度比较薄的情况下，生长的多量子阱质量比较好。而随缓冲层厚度的增加，晶格失配的存在，加剧位错的 缓冲层避免外延层和衬底间晶格失配，生长出高质量的量子阱材料，为制备高质量的激光器材料打下基 础…0|。 l设计与制备 GaSb 实验所用样品选用的衬底材料为Epi-ready 衬底，V族源：Ga(7N)，Al(7N)，In(7N)；Ⅲ族源：Sb (7N)和As(5N)源为非裂解源；掺杂源：n型Te(7N)，P 型Be(7N)。仪器设备：分子束外延设备(MBE)，X射线 衍射仪(XRD)，扫描电子显微镜(SEM)，光荧光谱仪 (PL)。 利用MBE设备设计和生长了InGaAsSb／Al— GaAsSb多量子阱结构，如图1所示。(A1Sb缓冲层厚 度不同)，结构为：衬底选用n型GaSb。多量子阱结构包 SchematicofInGaAsSb／AlGaAsSb Fig．1 diagram 括AlSb缓冲层，300 nm的n型(掺杂Te数密度近似为 multi—-quantum—-wells(MQWs) l×1018 nm 图1 InGaAsSb／A1GaAsSb多量子阱结构 cm-3)A1035Ga065Aso．03Sbo．97上限制层，300 *收稿日期：2009—07—14；修订日期：2010-03—08 基金项目：高功率半导体激光国家鼋点实验窜预研基金项目(232480)；国家自然科学基金项目 作者简介：尤明慧(1983)．女，硕上，从事半导体激光器材料的外延制备以及激光器工艺等相关工作；lzh9000@126．corn。 万方数据 1717 第8期 尤明慧等：采用AISb缓冲层生长2．3