封装过程中装片后烘烤机理及改善方法探讨 the discussion for baking after die attach of packaging process mechanism and improving method.pdfVIP
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封装过程中装片后烘烤机理及改善方法探讨 the discussion for baking after die attach of packaging process mechanism and improving method
巾国集成电路
(二hjna CjrcuIt 封装 ●——————、———一
Jntegrated
封装过程中娑片后烘烤机理
及改善方法探讨
王治文,王浩
(天水华天科技股份有限公司,甘肃天水,741000)
摘要:本文探讨并验证了IC封装工序装片后烘烤过程的机理,结合烘烤后失重曲线的分析,重新设计
了烘烤升温曲线(烘烤固化)、氮气保护(防止铜材氧化)、抽风(排出挥发物)等工艺参数。验证结果
表明,重新设计后的烘烤过程,克服了装片胶挥发污染、铜材氧化这两个对产品可靠性影响最关键的不
利因素,降低了装片烘烤工艺对产品可靠性的影响。
关键词:装片;烘烤;氧化;挥发物;装片胶
Thediscussionfor afterdieattachof
baking packagingprocess
■ ● l● ● ●l 1
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WANGZhi—wen.WANGHao
741
(Huatian Co.,Ltd,Tianshui000,China)
Technology
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Abstract:Inthis themechanism whichwasaRerdieattachIC
thesis, bakingpmcess packa舀ngprocess
discussedandvalidated.Combinedwiththe of cunre,the of
analysisweightlessnesstechnologicalparameteI.sheating
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cure),N2 (to oxidized), Volatiles)are
(baking pmtection copperbeing (discharging
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impactshaking technologyproductreliability.
attach
Keywords:diebonding;baking;oxidation;volatile
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