高方块电阻发射区单晶硅太阳电池的性能优化 performance optimization of mono-crystalline silicon solar cells with high sheet-resistance emitters.pdfVIP

与 备器件 技 术 高方块电阻发射区单晶硅太阳电池的性能优化 沈 洲1，沈鸿烈1，马跃2，陈 军2 (1．南京航空航天大学材料科学与技术学院，南京 2儿106； 2．林洋新能源光伏工程中心，江苏 启东 226200) 摘要：通过提高发射区的方块电阻和优化发射区的磷杂质浓度纵向分布，制备了性能优良的单晶 硅太阳电池。fV测量分析表明：高表面活性磷杂质浓度浅结发射区太阳电池短路电流密度、开 路电压和填充因子分别提高了0．32mA／cm2，1．19mV和0．22％，因此转换效率提高了 o．22％。内量子效率分析表明：高表面活性磷杂质浓度浅结发射区太阳电池短路电流密度的提高 是由于短波光谱响应增强了。SEM分析表明：高表面活性磷杂质浓度浅结发射区太阳电池在发 射区硅表面沉积的Ag晶粒分布数量更多、一致性更好，从而更容易收集光生电流传输到Ag栅 线，改善了太阳电池的性能。 关键词：单晶硅太阳电池；磷扩散；高方块电阻发射区；光谱响应；转换效率 Performance of Silicon OptimizationMon俨Crystalline SolarCellswith Sheet-ResistanceEmitters High ShenZhoul，Shen MaYue2，Chen Hongliel， Jun2 (1．CoZZPg已。厂Mn￡Pri4如SciP以c已T_f．Il珂oZogy，^k巧i行gUhit肥，百i￡yo，APrDnn“fic5口以d Anro咒口“疵s，N叽ji，zg211106，吼i以口；2．So肠咖行PVE行gi以e已ri咒g＆订￡盯，@do行g226200，C^i加) the Abst您ct： siliconsolarcellswerefabricated sheet— Highqualitymono—crystaUine byincreasing resistanceand the distributioninthediffusedstructuresofthe optimizingphosphoruslongitudinal emitter．TheFVmeasurementshowsthatthe of0．32 inthe analysis improvementsmA／cm2 short—current1．19mV thefill inthe and0．22％in factorare density， open-circuitvoltage achieved，andthus0．22少6 inthe conversion isobtainedforsolarceUs higher energy efficiency fabricatedontheemitterwitha active surfaceconcentrationandshallower higher phosphorus unction oftheinternal