高隔离度x波段rf mems电容式并联开关 high isolation x-band rf mems capacitive shunt switches.pdfVIP

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2017-08-31 发布于上海
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高隔离度x波段rf mems电容式并联开关 high isolation x-band rf mems capacitive shunt switches.pdf

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高隔离度x波段rf mems电容式并联开关 high isolation x-band rf mems capacitive shunt switches

与 MEMS器件技术 MEMS Device Technology 高隔离度波段电容式并联开关犡犚犉犕犈犕犛，１２１１２２张理姚军王大甲饶青钟洪声，，，，　　　（中国科学院光电技术研究所，微细加工光学技术国家重点实验室，成都；１．６１０２０９　电子科技大学成都２．，）６１００５４　摘要研究了一种新型的应用于波段的高隔离度电容式并联开关结构相比于：、ＸＲＦＭＥＭＳ。该开关通过共面波导传输线与地平面之间的衬底刻槽结构将隔离度普通的并联结构，（）ＣＰＷ提高了关态时在谐振频率处的隔离度为执行电压为弹簧梁，，。７ｄＢ１３．５ＧＨｚ－５４．６ｄＢ２６Ｖ结构开关的执行电压下降为，。在处其隔离度为通过两个并联开关级联１４Ｖ１１ＧＨｚ－４２．８ｄＢ型调谐开关电路在处的隔离度为与开关间的高阻传输线构成的，。 π １１．５ＧＨｚ－８１．６ｄＢ关键词：射频微机电系统；开关；隔离度；波段；衬底刻槽Ｘ文献标识码文章编号中图分类号：；；：：（）ＴＨ７０３ＴＭ５３４．１ＴＭ５６４．１Ａ１６７１　　０６－０３４２－０５犎犻犺犐狊狅犾犪狋犻狅狀犡犅犪狀犱犚犉犕犈犕犛犆犪犪犮犻狋犻狏犲犛犺狌狀狋犛狑犻狋犮犺犲狊