高频气体击穿与真空击穿之间的联系 the relation between the high-frequency gas breakdown and the vacuum breakdown.pdfVIP

空间电子技术 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 6 SPACE ELECTRONICTECHNOLOGY 2014年第1期 高频气体击穿与真空击穿之间的联系淤 1,2 2 2 翁摇 明 ,王摇 瑞 ,崔万照 (1.西安交通大学电子科学与技术系,西安摇 710049;2.空间微波技术重点实验室,西安摇 710000) 摇 摇 摘摇 要:文章采用基本物理参量,对于平板放电系统,探讨了高频放电的扩散机制和微放电机制。 提出并采用 等效特征扩散长度的概念,将高频气体击穿和真空击穿联系在一起。 研究结果表明,在使用等效特征扩散长度后, 由扩散机制计算出的高频击穿电场与实验更加吻合。 此外,等效特征扩散长度表达式中的系数,与电极材料2 次电 子发射系数特性曲线中的第一交叉点能量密切相关。 关键词:高频击穿;扩散控制的击穿;微放电;特征扩散长度;2 次电子发射系数 D O I:10.3969/ j.issn.1674鄄7135.2014.01.002 0摇 引言 等效直流电场 E 可以用高频电场的有效值 eff 随着空间技术的不断发展,对高频电子器件的 E 、角频率棕、电子与气体分子之间的碰撞频率 淄 rms [2,3] 可靠性要求越来越高。 因此,研究高频气体击穿的 表示 。 即: 机理是十分必要的。 一般,描述真空状态下的高频 Erms E = (3) eff 击穿,往往使用“微放电冶或又称为“2次电子倍增效 棕 2 1 + ( ) 应冶模型。 而描述气体状态下的高频击穿往往使用 淄 “电子扩散机制冶的机理。 然而,在真空到低气压的 这里 淄 代表电子与气体分子平均碰撞频率,可取 [4] 过渡区域,这两种机理都不适用。 如何解决过渡区 为 :