基于45 nm技术的ulsi互连结构的温度模拟 temperature simulation of ulsi interconnects based on 45 nm technology.pdfVIP

第37卷第4期 微电子学 VOL37．N0．4 2007年8月 Microelectronics Aug．2007 基于45 nm技术的ULSI互连结构的温度模拟 王锡明1，周嘉2，阮刚2，U∑EH—p (1_合肥学院机械系，台肥230022，2．复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室；微电子学系，上海 201203；3．城南国立大学电子工程系，大邱305—764韩国) 摘要：应用自行建立的准二雏简化模型，计算了三种基于45m节点技术的uI．SI九层低介电 常数介质互连结构的温度升高。与ANSYs的分析对比表明，简化模型误差为7．7％。三种互连 结构中，结构III设计具有最佳的散热能力，不仅工作时绝对温升小，而且随村底温度和介质导热 系数的温升加大也小；结构I的散热能力良好，结构III最差。对三种互连结构的尺寸分析表明，层 间介质的厚度对互连系统的温升影响大，必须在电学模拟和温度模拟完成后找到一个最佳厚度值，