镀膜材料基础知识122012.pptVIP

混合膜膜法可以包括气相混合和固相混合两种.所谓气相混合,就是用几个蒸发源同时蒸发几种不同折射率的材料,控制其各自的蒸发速率而得到期望的中间折射率值.这种方法的主要困难是需要同时控制几个蒸发源的蒸发速率.在制作半导体化合物的薄膜时,需要同时控制两个蒸发源和基板的温度,所以称为二源蒸发为三温度法. 固相混合就是将两种或两种以上的材料按比例预先混合,然后用同一蒸发源进行蒸发.随着混合材料的比例不同可调节所需的折射率值.这种方法的材料蒸汽压差异对膜的成分影响很大,只有在一定的蒸发温度下,混合材料才能按比例蒸发. 值得指出的是,混合膜在薄膜制备中的应用不仅可以获得任意折射率,而且可以改善膜层的特性. 例如,在ZrO2中掺入百分克分子浓度为46的MgO或21的SiO2后,得到了无定形结构的薄膜,使散射降低. 在TiO2膜中掺入Ta2O5等其他氧化物,可促进氧化,减少薄膜吸收. 在MgF2中掺入12%的CaF2或0.8%的ZnF2.使MgF2膜的应力降低一半. 在ZrO2中掺入6%--30%的Y2O3，可抑制薄膜折射率的非均匀性和提高膜层的聚集密度。 用共溅法制备的TiO2-SiO2和CeO2-SiO2膜，折射率均匀，重复性达±0.01。 此外，气相混合膜法还可用来制备折射率非均匀膜。 1.2.6:薄膜材料特性列表 1: B:电阻加热(括号内为蒸发源材料);E:电子束 R:反应蒸发;S:溅射;RS:反应溅射 2: 折射率后括号内数字为波长或基板温度 3: 硬度(H 极硬;FH 硬;M中等;S软;),抗激光损伤(□□□强, □□中, □ 弱) 应力(T 张应力.C 压应力),抗潮性(1优,2中,3差) 材料 熔点/℃ 蒸发温度/℃ 蒸发方法 密度(g/cm3) 折射率 透明区/μm 牢固度 Al2O3 2020 2100 B(W),E 3.98 1.54(0.55μm,40℃) 1.54(0.55μm,40℃) 0.2-8 H,□□□,1 AlOxNy 　 　 RE,RS 　 1.71-1.93(0.35μm) 1.65-1.83(0.35μm) 0.3-6.5 H,1 AlF3 　 900 B 3.07 1.38(0.55μm) 0.2-20 S,T,小 Bi2O3 860 1400 R(Pt),RS 8.3 2.45(0.55μm) 2.2(9μm) 0.4-12 FH,1 BiF3 727 300 B(C) E 5.32 1.74(1μm) 1.66(10μm) 0.26-20 M,C,1 材料 熔点/℃ 蒸发温度/℃ 蒸发方法 密度(g/cm3) 折射率 透明区/μm 牢固度 BaF2 1280 700 B 4.83 1.47(1μm) 1.4(8μm)1.395(10μm) 0.25-15 M,T小,2 CaF2 1360 1280 B(W,Ta,Mo) 3.2 1.23-1.46(0.55μm) 0.15-12 FH,T小,1 CeF3 1460 1350 B(W),E 6.16 1.63(0.55μm,300℃) 0.3-0.5 FH,T大,1 CdS 1750 800 B(Pt,Ta) 4.8 2.5(0.6μm,30℃) 0.55-7 S,C,2 CdTe 1041 450 B(Mo) 6.2 3.05(1μm) 2.66(10μm) 0.97-30 H,□,C,2 CeO2 1950 1600 B(W),E 7.13 2.2(0.55μm,30℃) 2.38(0.55μm,250℃) 0.4-12 H,C,1 CdSe 1350 700 B(W) 5.81 3.5(1μm) 0.97- M,□,2 CsBr 636 400 B(W,Mo) 3.04 1.8(0.25μm) 1.67(3.3μm) 0.23-40 S,3 CsI 626 500 B 4.51 1.787(0.55μm) 0.25-60 S,3 Cr2O3 2275 1900 B(W),E 5.2 2.1(0.63μm) 　 FH,1 C(金刚石) 3700 2601 E 3.5 2.38(4μm) 　 H,1 Dy2O3 2340 1400 E 8.16 2.0(0.29μm,350℃) 1.91(0.55μm,350℃) 0.28- FH,1 Eu2O3 2050