等离子体活化硒对电沉积Cu-In-Ga金属预制层硒化的影响-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 7 (2013) 078801 等离子体活化硒对电沉积Cu-In-Ga 金属 预制层硒化的影响* † 张超 敖建平 姜韬 孙国忠 周志强 孙云 ( 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 天津 300071 ) ( 2012 年9 月26 日收到; 2012 年11 月28 日收到修改稿) 使用等离子体活化硒源对电沉积制备的Cu-In-Ga 金属预制层进行了硒化处理时, 发现等离子体功率对 Cu(In Ga )Se (CIGS) 晶粒的生长有重要影响, 当等离子体功率为75 W 时, 制备出单一Cu(In Ga )Se 相的 1−x x 2 07 03 2 CIGS 薄膜. 通过对不同衬底温度的等离子体活化硒源硒化的CIGS 薄膜进行了研究与分析, 并与普通硒化后的薄 膜进行对比, 发现高活性硒在低温下会促进Ga-Se 二元相的生成, 从而有利于Cu(In07 Ga03)Se2 单相的生长. 对等 离子体硒化后的CIGS 薄膜进行了电池制备, 发现单相CIGS 薄膜没有显著提高电池性能. 通过优化工艺, 所制备的 CIGS 电池效率达到了9.4%. 关键词: Cu(In Ga )Se , 电沉积, Cu-In-Ga 金属预制层, 等离子体活化硒 07 03 2 PACS: 88.40.jn, 81.10.Pq, 82.56.Lz, 68.55.−a DOI: 10.7498/aps.62.078801 的预制层7−9 , 另一种方法是在硒化后, 经过长时 1 引言 间的无硒环境高温热处理来使得Ga 元素充分扩 散1011 . 但是, 无论哪种方法均使得工艺更加复杂, Cu(In Ga )Se (CIGS) 薄膜太阳电池具有较 1−x x 2 增加了制备成本. 好的稳定性(无衰退), 有较高的转化效率(最高效 本项目组在研究电沉积金属Cu-In-Ga 预制层 率达到了20.3%)1 , 被认为是最有前途的光伏器件 时, 使用等离子体活化硒源硒化来解决普通固态硒 之一. 为了降低成本, 适应工业化连续生产, 非真空 源由于Se 蒸气为大分子的Sen (2 n 8), 活性较 低成本制备CIGS 薄膜工艺一直是人们研究的热 低, 所制备的CIGS 薄膜存在质量差、表面粗糙、 点, 其中电沉积Cu-In-Ga 金属预制层后硒化的方法 12 工艺重复性不高、硒的利用率低等问题 , 结果 2 是较为合适的工艺之一. Basol 等 采用roll-to-roll 发现活性硒对CIGS 薄膜的结构和形貌有很大的影 技术在金属衬底上利用电沉积Cu-In-Ga 金属预制 响. 等离子体活化硒是将固态硒源蒸发的Sen 蒸气 层后快速硒化的方法实现了CIGS 电池的连续制 通过等离子体区, 通过等离子体区内高能粒子间互 备, 小面积电池效率做到了 13.76%, 1.05 m2 的组