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半导体物理教案第7章
绪论
本门课的主要内容:固体物理20学时,半导体物理50学时。与其他课程的关系。
半导体科技发展简介 (170年)
萌芽时期 (1834~1931)将近100年时间
1834年,Faraday 提出半导体判定条件:
金属:
半导体:
绝缘体:
半导体具有负的电阻温度系数,这一年成为该学科进入萌芽时期的标志。
1873年, W.Smith Se光电导效应。
1874年, F.Brawn PbS 等矿石的整流作用。
1879年, Hall Hall效应。 表明半导体的导电机构与金属不同。
直到20世纪30年代以前,虽然有些发现,但是不系统。
理论形成和系统发展时期 (1931~1980)近50年时间
1931年, Wilson提出能带论奠定了半导体理论的基础,解释了金属、半导体、绝缘体的本质区别。
1949年, W.Shockley (晶体管之父)。p-n结, 双极晶体管(Bipolar Transistor)理论。1947年与J.Barden 和 W.H.Brattain发明点接触晶体管。为此获得诺贝尔物理学奖。标志现代半导体理论的形成,半导体科技进入系统发展时期。
1957年, Kroemer异质结晶体管。半导体领域第二次获得诺贝尔物理学奖。
1958年,Esak: 隧道二极管 第三次获得诺贝尔物理学奖。
这一时期,所用的半导体材料主要是锗。锗晶体管开创了第二代计算机(后来为硅管所取代)。
集成化的微电子时期 (1960~1980)
1957硅晶体管实用化
1960工艺的出现,为IC的发明提供了技术支持。
1962 Noyce 单片集成
1970年, LSIC 逻辑电路出现。
该时期内,半导体行业得到了全面发展,主要有三个方向。
(1) 微型化 (2)功率器件 (3)敏感器件
4. VLSIC 的成熟阶段 = IT业的快速发展时期 (1980~2000)
同时与其他学科结合出现了MEMS产业。
面对未来的发展趋势
从微型化的发展方面看:
20年 从60年代的几十微米至80年代1微米。
20年 从80年代1微米至21世纪初30nm
未来的器件会更多地考虑量子效应进入Nanoelectronics时代 未来20年内很可能会达到几个nm的水平。
系统集成方面看
传感+执行+电路=SOC
传感+执行=MEMS
高频、大功率和能量转换。光电器件。
三、教与学的方法
1.多下工夫时间
2.调整心理,理解的整理 从认识论的高度
3.理解的基础
半导体中的电子状态 n=0, 1, 2…
能量是量子化的,不是连续的。光子的概念。
光子是电磁辐射的量子,传递电磁相互作用的规范粒子。
其静止质量为零 M=0
不带电荷 Q=0
其能量为普朗克常量和电磁辐射频率的乘积
在真空中以光速c运行 v=c = 3e8米/秒
根据质能方程 :
说明光子的动质量:
光子的动量:
2. 光子的波粒二象性
光具有波动性,又具有粒子性。
3. 德布罗意物质波 matter wave
在光具有波粒二象性的启发下,法国物理学家德布罗意(1892~1987)在1924年提出一个假说,指出:
“波粒二象性不只是光子才有,一切微观粒子,包括电子和质子、中子,都有波粒二象性。”他把光子的动量与波长的关系式p=h/λ推广到一切微观粒子上,指出:
“具有质量m 和速度v 的运动粒子也具有波动性,这种波的波长等于普朗克恒量h 跟粒子动量mv 的比”,即
λ= h/p = h /(mv)。 这个关系式后来就叫做德布罗意公式。
不确定性原理 Uncertainty principle
又称“测不准原理”、“不确定关系”,是量子力学的一个基本原理,由德国物理学家海森堡(Werner Heisenberg)于1927年提出。本身为傅立叶变换导出的基本关系:若复函数f(x)与F(k)构成傅立叶变换对,且已由其幅度的平方归一化(即f*(x)f(x)相当于x的概率密度;F*(k)F(k)/2π相当于k的概率密度,*表示复共轭),则无论f(x)的形式如何,x与k标准差的乘积ΔxΔk不会小于某个常数(该常数的具体形式与f(x)的形式有关)。
5. 几率波
是微观客体运动的一种统计规律性,它把物质粒子的波动性与原子性统一了起来。
描述了系统的动力学性质。
算符
位置算符: x, y z - x , y, z
位置表象下,粒子的动量算符: -
位置表象下,粒子的能量算符:E -
是的共轭函数。 是位置平均值。
一维动量平均值。
薛定谔方程
薛定谔提出的量子力学基本方程 。建立于 1926年。它是一个非相对论的波动方程。它反映了描述微观粒子的状态随时间变化的规律,它在量子力学中的地位相当于牛顿定律对于经典力
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