材料与物理性能的考试概率极大的计算题.docVIP

材料物理性能习题 1、计算室温（298K）及高温（1273K）时莫来石瓷的摩尔热容值，并请和按杜龙-伯蒂规律计算的结果比较（莫来石3Al2O3·2SiO2）。 当T=298K，Cp=a+bT+cT-2=87.55+14.9610-3×298-26.68×105×298-2 =87.55+4.46-30.04 =61.97×4.18 J/mol.K （2）当T=1273K，Cp= a+bT+cT-2=87.55+14.9610-3×1293-26.68×105×1273-2 =87.55+19.34-1.65 =105.24×4.18 J/mol.K=438.9 J/mol.K 据杜隆-珀替定律：(3Al2O3.2SiO4) Cp=21×2494=523.74 J/mol.K 2、康宁1723玻璃（硅酸铝玻璃）具有下列性能参数：λ=0.021J/(cm.s.℃)； α=4.6×10-6/℃；σp=7.0Kg/mm2，E=6700Kg/mm2,μ=0.25。求第一及第二热冲击断裂抵抗因子。 第一冲击断裂抵抗因子： = =170℃ 第二冲击断裂抵抗因子： =170×0.021=3.57 J/(cm.s) 3解： =547×0.184× =1082℃ 4、NaCl和KCl具有相同的晶体结构，它们在低温下的Debye温度θD分别为310K和230K，KCl在5K的定容摩尔热容为3.810-2J/(K.mol),试计算NaCl在5K和KCl在2K的定容摩尔热容。 5、本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为： 式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题： （1）设N=1023 cm-3, k=8.6×10-5 eV·K-1时, Si(Eg=1.1eV)TiO2(Eg=3.0eV)在室温（20℃）和500℃时所激发的电子数（cm-3）各是多少： （2）半导体的电导率σ（Ω-1.cm-1）可表示为 假定Si的迁移率μe=1450（cm2.V-1.s-1），μh=500（cm2.V-1.s-1），且不随温度变化。求Si在室温（20℃）和500℃时的电导率。 解：（1） Si 20℃ =1023×e-21.83 =3.32×1013 cm-3 500℃ =1023×e-8=2.55×1019 cm-3 TiO2 20℃ =1.4×10-3 cm-3 500℃ =1.6×1013 cm-3 (2) 20 ℃ =3.32×1013×1.6×10-19 (1450+500) =1.03×10-2（Ω-1.cm-1） 500℃ =2.55×1019×1.6*10-19(1450+500) =7956 （Ω-1.cm-1）Ω.cm,如电子空求本征锗的载流子浓度分别为3900和1900.求本征锗的载流子浓度。 解： 7、设电子迁移率为,硅的电子有效质量,如加以强度为104V/m的电场,试求平均自由时间和平均自由程 8、一截面为0.6cm2, 长为1cm的n型GaAs样品,设,试求该样品的电阻。 解： 9、金红石（TiO2）的介电常数是100，求气孔率为10%的一块金红石陶瓷介质的介电常数。 解： 10、一块1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介质，其电容为2.4×10-6μF，损耗因子tgδ为0.02。求： （1）相对介电常数；（2）损耗因素。 解： 11、镁橄榄石(Mg2SiO4)瓷的组成为45%SiO2,5%Al2O3和50%MgO,在1400℃烧成并急冷（保留玻璃相），陶瓷的εr=5.4。由于Mg2SiO4的介电常数是6.2，估算玻璃的介电常数εr。（设玻璃体积浓度为Mg2SiO4的1/2）。 解： 12、如果A原子的原子半径为B的两倍，那么在其它条件都是相同的情况下，原子A的电子极化率大约是B的多少倍？ 解： 13、为什么碳化硅的介电常数与其折射率的平方n2相等。 解：