雾化施液CMP工艺及材料去除机制研究-本原扫描探针显微镜.PDF

2014 2 润滑与密封 Feb. 2014 年 月 39 2 第 卷 第 期 LUBＲICATION ENGINEEＲING Vol. 39 No. 2 DOI :10. 3969 /j. issn. 0254 － 0150. 2014. 02. 011 * 雾化施液 CMP 工艺及材料去除机制研究 王 陈 李庆忠 朱 仌 闫俊霞 ( 214122) 江南大学机械工程学院 江苏无锡 檿 : (CMP) ， 檿 摘要 介绍通过雾化供液方式进行化学机械抛光 的工作原理以及试验装置设计 通过雾化供液抛光工艺 檿 ， 。 ， CMP ， 檿 檿 檿 试验考察该方法的抛光效果 分析其材料去除机制 结果表明 雾化施液 方法的抛光浆料利用率高 在达到去除 檿 257. 5 nm /min ， 3. 8 nm ， 350 mL 。 檿 率为 表面粗糙度小于 的抛光效果时 雾化抛光液消耗量仅为 雾化抛光材料去除机制是 檿 ， ， 檿 表面材料分子级氧化磨损去除 即通过抛光液中氧化剂的化学作用使表面原子氧化并弱化其结合键能 通过磨粒的机械 檿 ， 。 檿 作用将能量传递给表面分子 使表面分子的能量大于其结合键能而被去除 檿 檿 檿 : ;CMP ; ; 关键词 雾化施液 工艺试验 材料去除机制 中图分类号:TH1117. 1 文献标识码:A 文章编号:0254 － 0150 (2014)2 － 056 － 5 n Ｒemoval Mechanism and Processes in Atomized c Slurry Applied CMP . Wang Chen Li Qingzhong Zhu Bing Yan Junxia (College of Mechanical Engineering ，Jiangnan University ，Wuxi