CuInS纳米纸阵列薄膜的制备及生长机理.PDF

Vol.35 高等 学校 化 学 学报 No.11 2014年11月 摇 摇 摇 摇 摇 摇 CHEMICALJOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES摇 摇 摇 摇 摇 摇 2310 ~2316 doi:10.7503/ cjc 摇 摇 CuInS纳米纸阵列薄膜的制备及生长机理2 1,2 1,2 1,2,3 1,2 1,2 庄米雪 ,魏爱香 ,刘摇 俊 ,颜志强 ,招摇 瑜 (1. 广东工业大学材料与能源学院,2. 广东省功能软凝聚态物质重点实验室,广州510006; 3. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027) 摘要摇 采用溶剂热合成技术,以氯化铜、硝酸铟和硫脲为反应物,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为阳离子 表面活性剂,草酸为还原剂,无水乙醇为溶剂,直接在掺氟的SnO 透明导电玻璃(FTO)衬底上合成 CuInS 2 2 (CIS)薄膜. 采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼光 谱、能量色散谱(EDS)、紫外鄄可见(UV鄄Vis)反射光谱和透射光谱对样品的形貌、结构、成分和光学性能进 行分析. 结果表明,在适当的反应物浓度下,在FTO衬底上形成了垂直衬底生长的、具有良好结晶性能的黄 铜矿结构的CIS纳米纸阵列薄膜. CIS薄膜中Cu,In,S的原子比为1郾1颐1颐2郾09,在紫外鄄可见和近红外波段 具有良好的光吸收特性,禁带宽度约1郾51eV. 结合不同反应时间制备的CIS薄膜的形貌、结构和成分分析, 讨论了CIS纳米纸阵列薄膜的生长机理. 关键词摇 溶剂热合成技术;CuInS ;纳米纸阵列薄膜;生长机理 2 中图分类号摇 O611摇 摇 摇 摇 文献标志码摇 A摇 摇 摇 摇 近年来,CuInS (CIS)半导体薄膜作为一种理想的薄膜太阳能电池材料,在新能源研究领域备受关 2 [1] 注. CIS是 玉鄄芋鄄遇族三元化合物半导体材料,具有黄铜矿、 闪锌矿和铅锌矿3种晶体结构 和以下特 [2] 点:(1) CIS为直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为1郾53 eV ,接近太阳能电池材料所需的最佳 [3] 5 -1 禁带宽度值(1郾45 eV) ,非常适合用作太阳能电池的光吸收层材料;(2) 吸收系数高达10 cm ,以 [4] 其作为太阳能电池的光吸收层时膜厚仅需 1~2 滋m 就足以吸收90%的太阳光 ,大大节约成本; (3) 通过控制Cu/ In和S/ (Cu+In)的比例可改变薄膜的导电类型,当n(Cu)/ n(In)1时,薄膜通常呈 [5] n型;当n(S)/ n(Cu