TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N （东芝硅场效应晶体管N）.pdfVIP

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2017-09-03 发布于浙江
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N （东芝硅场效应晶体管N）.pdf

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N （东芝硅场效应晶体管N）

2SK170 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK170 Low Noise Audio Amplifier Applications Unit: mm • Recommended for first stages of EQ and M.C. head amplifiers. • High |Y |: |Y | = 22 mS (typ.) (V = 10 V, V = 0, I = 3 mA) fs fs DS GS DSS • High breakdown voltage: VGDS = −40 V • Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.) (VDS = 10 V, ID = 1 mA, f = 1 kHz) • High input impedance: IGSS = −1 nA (max) (VGS = −30 V) Maximum Ratings (Ta 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Gate-drain voltage VGDS −40 V Gate current IG 10 mA Drain power dissipation PD 400 mW Junction temperature Tj 125 °C Storage temperature range Tstg −55~125 °C JEDEC TC-92 JEITA SC-43 TOSHIBA 2-5F1D Weight: 0.21 g (typ.) Electrical Characteristics (Ta 25°