TOSHIBA Photocoupler GaAlAs Ired Photo （东芝光电耦合器GaAlAs吸引力的照片）.pdfVIP

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2017-09-03 发布于浙江
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TOSHIBA Photocoupler GaAlAs Ired Photo （东芝光电耦合器GaAlAs吸引力的照片）.pdf

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TOSHIBA Photocoupler GaAlAs Ired Photo （东芝光电耦合器GaAlAs吸引力的照片）

TLP250 TOSHIBA Photocoupler GaAlAs Ired Photo−IC TLP250 Transistor Inverter Inverter For Air Conditionor Unit in mm IGBT Gate Drive Power MOS FET Gate Drive The TOSHIBA TLP250 consists of a GaAlAs light emitting diode and a integrated photodetector. This unit is 8−lead DIP package. TLP250 is suitable for gate driving circuit of IGBT or power MOS FET. • Input threshold current: IF=5mA(max.) • Supply current (ICC): 11mA(max.) • Supply voltage (VCC): 10−35V • Output current (IO): ±1.5A (max.) • Switching time (tpLH/tpHL): 1.5µs(max.) • Isolation voltage: 2500Vrms(min.) • UL recognized: UL1577, file No.E67349 • Option (D4) type VDE approved: DIN VDE0884/06.92,certificate No.76823 TOSHIBA 11−10C4 Maximum operating insulation voltage: 630VPK Weight: 0.54 g Highest permissible over voltage: 4000VPK (Note) When a VDE0884 approved type is needed, please designate the option (D4) • Creepage distance: 6.4mm(min.) Clearance: 6.4mm(min.) Schmatic Pin Configuration (top view) ICC VCC 1 8 8 IF (Tr 1) 2