逃逸电子的能量极限-east.pptVIP

Experimental Investigation of Runaway Electron Dynamics in HT-7－Interaction of runway electron with toloidal magnetic ripple 目前已观察到的实验结果 Experimental Results in HT-7 HT-7上逃逸电子诊断系统 HT-7上逃逸放电的一些参数区间 逃逸电子和磁场波纹之间的作用 Experimental setup (1) HT-7上逃逸放电区间 Ohmic discharge ＃7795277962 等离子体电流扫描实验研究逃逸电子的动力学 逃逸电子和磁场波纹共振的实验分析 环电压Vl＝2V，逃逸电子克服了n＝6的共振限制！ Conclusion: * HT-7 * HT-7 ASIPP Chen Zhongyong, Wan Baonian, Lin Shiyao and HT-7 Team czy1003@ipp.ac.cn Institute of Plasma Physics, Chinese Academy of Sciences P.O.Box 1126, Hefei,Anhui 230031 CPS conference in Wuhan What is Runaway? 逃逸电子: 一部分速度大的热电子或者是快电子受到的碰撞阻力小于电场力时，就会不断的被加速到很高的能量，最后和本底等离子体解耦，不受本底等离子体的碰撞等的影响，它自身处于一个稳定的约束，约束时间通常是本底等离子体电子的几十倍。 The critical kinetic energy of fast electron to be runaways is =2.21*(2+Zeff)*ne/E (keV) For typical OH discharge in HT-7: Ne=1.0, Zeff=3, Vloop=1.2V, Ip=120kA Wcrit=70keV 产生机制有两个：初级产生机制，和次级产生机制。 初级产生是典型的Dreicer产生过程。由于放电初期等离子体温度低，密度也低，而环电压较高，所以这个过程在放电初期很容易发生。 次级产生过程也叫雪崩过程，它是已经存在的逃逸电子和本底电子发生近距离的库仑碰撞，使其获得高于逃逸阈值的能量，而成为逃逸电子。主要在电流平顶段占主导。 (high E// or Te). 雪崩逃逸不依赖等离子体的密度. Motivation: 逃逸电子能量很高，可达数十个MeV，高通量的逃逸电子会严重破坏装置第一壁材料。研究逃逸电子的产生，约束以及损失行为，探索有效的抑制逃逸电子的手段，是下一代装置稳定运行的基础之一。 逃逸电子与磁场波纹的共振作用已经在理论和实验上得到了证实(Phy. Plasmas 6 (1999) 238)，它是一个有效阻止逃逸电子能量发展的机制。通过HT-7装置上的实验深入认识逃逸电子在磁场波纹中的动力学，为下一代装置（EAST）的逃逸电子动力学研究提供基础。 电场加速 (66MeV for 1.7VS magnetic flux ) 同步辐射减速 (39MeV for 0.1rad pitch angle ) 逃逸电子的轨道漂移 (40MeV for 27cm minor radius ) 一些不稳定性 ( MHD ) 和环向磁场波纹之间的共振 ( ? ) 逃逸电子的能量极限： 由于有限的纵磁线圈(Nt)，纵场有一个波纹度，逃逸电子经过这个波纹场会受到调制，频率为 n是谐波阶数 如果电子的回旋运动和n次谐波共振，电子会被散射，增大pitch角，大的pitch角会增加辐射损失，从而影响能量极限，它取决于n和波纹大小。共振作用随谐波次数的增加而减弱。 除了磁场波纹大小，环电压是影响共振的一个重要因素，高的环电压可以克服高阶模式的能量共振，从而达到更高的能量，直到某一个谐波次数起明显作用。 For HT-7: N=24, R=1.22m, Bt~1.8