射频磁控溅镀法制备nd2o3电阻式薄膜记忆体之特性研究.pptVIP

熱退火變化之XRD晶相分析 圖9.熱退火溫度變化之晶向圖 * 熱退火變化之SEM分析 圖10.熱退火溫度變化之SEM分析圖 * 熱退火變化之I-V分析 (a)退火溫度400℃ (b)退火溫度450 ℃ (c)退火溫度500 ℃ 圖11.Al/Nd2O3/ITO/Glass (MIM) 電壓與電流曲線圖 * 熱退火溫度450℃之I-V分析圖 圖12.熱退火溫度450℃之I-V分析圖 * 退火溫度450℃連續操作高、低電阻狀態變化 圖13.退火溫度450℃連續操作高、低電阻狀態變化 * 熱退火變化之漏電流機制特性分析 圖14.熱退火變化之雙極性切換過程曲線圖 * (a) 退火溫度 = 400℃ (b) 退火溫度 = 400℃ (c) 退火溫度 = 450℃ (d) 退火溫度 = 450℃ 熱退火變化之漏電流機制特性分析 圖15.熱退火變化之雙極性切換過程曲線圖 * (e) 退火溫度 = 500℃ (f) 退火溫度 = 500℃ 電流限制I-V分析 圖16.不同限制電流下之I-V圖 * 電流限制之I-V連續操作分析 圖17.電流20mA連續操作I-V圖 * * 電流限制之連續操作高、低電阻狀態的變化 圖18.電流限制之連續操作高低組態圖 超臨界流體處理之濺鍍條件 Nd2O3薄膜之超臨界流體處理 基板 ITO/Glass 靶材 Nd2O3 氧氣濃度(%) 40 腔室壓力(mTorr) 20 濺鍍功率(w) 100 溫度oC 150 壓力環境(psi) 3000 處理時間(hr) 2 超臨界流體 處理 射頻磁控 濺鍍法 * 超臨界流體處理之XRD晶向分析 圖19.超臨界流體處理之晶向圖 * 超臨界流體處理處理之SEM分析 圖20.超臨界流體處理與未處理之SEM圖 (a)超零界流體處理 (b)未處理 * 超臨界流體處理之I-V特性1 圖21.超臨界流體處理之連續操作I-V圖(10 mA) * 超臨界流體處理之連續操作高、低電阻狀態變化1 圖22.超臨界流體處理之連續操作高低組態圖(10 mA) * 超臨界流體處理處理之I-V特性2 圖23.超臨界流體處理之連續操作I-V圖(100 μA) * 超臨界流體處理之連續操作高、低電阻狀態變化2 圖24.超臨界流體處理之連續操作高低組態圖(100 μA) 目錄 前言 實驗流程與步驟 結果與討論 結論 * * 結論 結論 [1] C. H. Jung, S. I. Woo, Y. S. Kim, K. S. No, “Reproducible resistance switching for BaTiO3 thin films fabricated by RF-magnetron sputtering”. [2] C. Y. Liu, J. M. Hsu, “ Dispersion improvement of unipolar resistive Ni/CuO/Cu device by bipolar operation method”. [3] Q. Liu, W. Guan, S. Long, M. Liu, S. Zhang, Q. Wang ,J. Chen , “ Resistance switching of Au-implanted-ZrO2 film for nonvolatile memory application”. [4] C. C. Lin, B. C. Tu, C. Lin, C. H. Lin, T. Y. Tseng, “Resistive Switching Mechanisms of V-Doped SrZrO3 Memory Films”. * 物性分析方面，其中在氧氣濃度40%時，薄膜最為完整，所以使用氧氣濃度40%以不同熱退火與氧氣濃度40%超臨界流體處理改善薄膜品質。 本實驗上處於較不好濺鍍條件下容易因為熱產生蕭特基發射現象，在氧氣濃度40%以不同熱退火與氧氣濃度40%超臨界流體處理都符合最理想的歐姆傳導。 結論 * Thank you * 南台科技大學 低溫超臨界流體技術於氧化釹電阻式記憶體之研究 研究生：李堅誌 指導教授：鄭建民 目錄 前言 實驗流程與步驟 結果與討論 結論 * 前言 這幾年電子產業發展不斷更新替換，記憶體在電子產品上是人們不可