太阳能电池原理与应用 光与半导体的相互作用.pptVIP

n型半导体：四价的本征半导体Si、Ge等掺入少量五价的杂质(impurity)元素(如P、As等)就形成了电子型半导体。 杂质半导体 (1)n型半导体 量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的 能级在禁带中紧靠空带处, ?ED～10-2eV， 极易形成电子导电。 该能级称为施主（donor）能级。 n 型半导体 在n型半导体中 电子……多数载流子 空 带 满 带 施主能级 ED Eg Si Si Si Si Si Si Si P 空穴……少数载流子 p型半导体：四价的本征半导体Si、Ｇe等掺入少量三价的杂质元素(如Ｂ、Ga、In等)形成空穴型半导体。 (2)p型半导体 杂质半导体 量子力学表明，这种掺杂后多余的空穴的 能级在禁带中紧靠满带处，?ED～10-2eV， 极易产生空穴导电。 空 带 Ea 满 带 受主能级 P型半导体 Si Si Si Si Si Si Si + B Eg 电子……少数载流子 在p型半导体中 空穴……多数载流子 半导体的光吸收 半导体对光的吸收机构 本征吸收 激子吸收 晶格振动吸收 杂质吸收 自由载流子吸收 半导体的光吸收 参与光吸收跃迁的电子类型 价电子 内壳层电子 自由电子 杂质或缺陷中的束缚电子 半导体的光吸收 本征光吸收：光照可以激发价带的电子到导带，形成电子－空穴对的过程。 半导体晶体的吸光程度由光的频率?和材料的禁带宽度所决定。当频率低、光子能量h?比半导体的禁带宽度 Eg小时，大部分光都能穿透；随着频率变高，吸收光的能力急剧增强。吸收某个波长? 的光的能力用吸收系数?（h?）来定义，它满足 ? ν ≥Eg 或 λ≤ ? C/Eg ?为普朗克常数； ν光波频率； λ光波波长；C光速；Eg半导体 材料的禁带宽度； 半导体的光吸收由各种因素决定，这里仅考虑到在太阳电池上用到的电子能带间的跃迁。一般禁带宽度越宽，对某个波长的吸收系数就越小。除此以外，光的吸收还依赖于导带、价带的态密度。 半导体的光吸收 上式表明，存在有波长限制，最大波长 λg= ? C/Eg 称为截止波长，满足上式要求才能产生电子-空穴对。 假设在能带中能量E与E+dE之间的能量间隔dE内有量子态dZ个，则定义状态密度g（E）为： 半导体中载流子的统计分布 1、状态密度 半导体的光吸收 半导体中载流子的统计分布 半导体的光吸收 2、费米能级 根据泡利原理，每个允许能级最多只能被2个自旋方向相反的电子所占据。这意味着在低温下，晶体的某一个能级以下的所有可能的能态都将被2个电子占据，该能级称为费米能级（Ef）。 随着温度升高，一些电子得到超过费米能级的能量，考虑泡利原理限制，任何给定能量E的一个允许电子能态占有概率可以通过统计规律，即遵循费米-狄拉克（Fermi-Dirac） 分布函数计算。 3、费米分布函数 电子遵循费米-狄拉克（Fermi-Dirac）统计分布规律。能量为E的一个独立的电子态被一个电子占据的几率为 半导体中载流子的统计分布 半导体的光吸收 半导体中载流子的统计分布 半导体的光吸收 4、费米分布函数的物理意义 能量为Ef能级上的一个状态被电子占据的概率等于1/2。故比费米能级高 的状态，未被电子占据的概率大，即空出的状态多（占据概率近似为0%）；反之，比费米能级低的状态，被电子占据概率大，即可近似认为占据概率100%。 半导体的光吸收 导带底和价带顶在k 空间相同点的情况。电子吸收光子自价带k 状态跃迁到导带k’状态时除了满足能量守恒以外，还符合准动量守恒的选择定则，即 具有这种带隙结构的半导体称为直接带隙半导体 ? k’- ? k= ? kphoton 截止波长附近的两种光跃迁类型 1、直接跃迁 半导体的光吸收 截止波长附近的两种光跃迁类型 竖直跃迁 非竖直跃迁 在讨论本征吸收时，光子的动量可以略去，因为本征吸收光子的波矢为10４ cm-1，而在能带论中布里渊区的尺度为2 π /晶格常数，数量级是10８ cm-1，因此本征光吸收中，因此光吸收的跃迁选择定则可以近似写成 这就是说，在跃迁过程中，波矢可以看做是不变的，在能带的E(k)图上，初态和末态几乎在同一条竖直线上，这样的跃迁常称为竖直跃迁。 半导体的光吸收 k’=k 截止波长附近的两种光跃迁类型 半导体的光吸收 导带底和价带顶在k 空间不同点的情况，此时的光吸收过程是称为非竖直跃迁，在这种情况下，单纯吸收光子不能使电子由价带顶跃迁到导带底