ITO透明导电薄膜的研究.pdf

第一章绪论 §1。1引言 ITO膜是一种N跫氧化物半导体，化学名称是氧化镏锡。通 嚣考察I约貘性憝主要舂嚣个指标：电戳率帮淹透遘率。实耩应 用ITO时，以方块电阻(用R。表示)来寝征ITO的导电性能。 由于畿仡诵锡(I阳)膜兵裔高的透光率和低的电阻率而被广泛应 用于波晶照示，太阳黢电浊，电致发光等光电_；f珏光敏器传中，它还 作为抗电磁辐射的减反射膜运用在豳防领域里。 霆蔻铡蓥l秘蔟豹工艺有磁控溅射，佬学气穗沉积帮真空蒸 发等方法，这些犬批量工业化的生产工艺基本上都溪求较高的沉 积温纛或弱处理工穿，因而存在着局限往，特羽是对于低熔点，不 耐高滋的纂片是不适合的。如健在低基冀湿度下裁缝铡器出巍震 量的膜是当前IT0膜研究的一个重点。利用离子体辅助蒸发的方 法有弼戆实现鬣溢沉积豹器求。 本文详细地研究了使用离子体辅助蒸发法制备ITO膜的工 麓，并得到了获褥低融阻，高透光率ITo膜的袋佳条件，这种工艺 对于妊宽IT0膜灼应用范围畜较大的实用馀馕。 §{。2lTO透明导瞧骥的发展状凝 由于IT0薄膜材料具肖优异的光电特性和导电性，因丽近年 来得以迅速发展，特别是在薄膜晶体管(TFT)制造、平板液晶显 承(K辨、太阳魄选透明毫圾以及兹岁}辐射