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第一章 填空题： 1.电力电子器件一般工作在________状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频 率较高时，功率损耗主要为________。 3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、 ________三部 分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 ________ 、 ________ 、________三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为________。 6.电力二极管的主要类型有________、________、 ________。 7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 ____ 正向有触发则导通、反向截止 ____ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为， UDRM________Ubo。 11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________ （如何连接）在同一管芯上 的功率集成器件。 12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 ________ 。 14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性 中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和 区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。 15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。 16.IGBT 的开启电压UGE （th）随温度升高而________，开关速度________电 力MOSFET 。 17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力 电子器件分为________和________两类。 19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。 20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。 21.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用 电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于________功率装置 的保护 。 22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便 与功率晶体管的开关时间相配合。 23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施，给每 只管子并联RC支路是________措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用 ________的方法。 24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有________温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有________温度系数。 25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关 断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅 双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是 ________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有 ________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有 ________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是 ________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。 简答题： 26.电力电子器件是如何定义和分类的？同处理信息的电子器件相比，它的 特点是什么？ 27.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示，试说明其中保护电路的 重要意义？ 28.二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻，阻值较高且为常 量，为何二极管在正向电流较大时管压降仍