掺杂对多孔硅和氧化锌光学特性影响.pdfVIP

第一章 绪 论 第一章 绪 论 半导体硅是当前制备微电子器件最主要的材料，尤其是硅材料和硅工艺是超 大规模集成电路研究的核心和关键。直至目前，任何半导体材料都无法取代它的 作用和地位。但由于硅的能带结构是间接型能隙，处于激发态的电子与空穴在复 合发光时，需要声子参与，因而发光效率很低。图 1.1 给出了硅间接带隙示意图。 另外，硅材料的光学带隙为 1.12eV，受激电子-空穴复合发光的波长处于红外波 段，因而硅材料不能发射可见光。这就限制了硅在光电子器件方面的应用，尤其 是未来的光集成电路中的应用。因而，探索硅的可见发光是材料科学和光电子科 学领域中多年来没有解决而又意义重大的研究课题。 图 1.1 硅间接带隙示意图 直到 1990 年 Canham[1]发现了室温下多孔硅可产生很强的光致发光现象，人 们开始对多孔硅在可见光范围内的发光机理和潜在的应用价值显示浓厚的兴趣。 多孔硅本身就是一种硅材料，室温下具有良好的光致发光、电致发光等特性。由 于硅的资源广，价格廉，纯度高，硅平面工艺精细，而且很容易与现有硅技术兼 容，如果能用多孔硅制造出实用的发光器件，将会产生新一代的硅芯片，将使硅 技术的应用从微电子学领域扩展到光电子学领域，它对未来电子器件，及整个电 子领域的发展将会产生不可估量的影响。 1 第一章 绪 论 §1.1 多孔硅的发展 早在 50 年代，Uhlir[2]和 Turner 等就已提出，在 HF 溶液中用电化学方法对 单晶硅进行阳极处理，就可以得到多孔硅(porous silicon，PS) 。后来又对它的结 构、材料成分和光电性质等进行了研究，而且 Pickering[3]等在 1984 年已观察到 多孔硅在可见光波段的荧光现象。在同一时期，已将多孔硅用于集成电路中的器 件隔离和 SOI (Silicon on Insulator) 材料生长。早期研究主要集中于低孔度多孔 硅。 1990 年 Canham[1]报道，多孔硅的孔度高于 80 ％时，在可见光范围内可以观 察到很强的光致发光现象，并提出，多孔硅的结构是一些直径小于 5 nm 的纳米 晶丝，正是由于晶丝的二维量子尺寸效应而发射可见光，其能量远大于体单晶硅 的带隙宽度。接着又出现了关于多孔硅的电致发光的报道。如果在多孔硅上沉积 一层透明电极，加上电源，在电流的诱导下可以发光。在溶液中，甚至在阳极处 理过程中都可以观察到发光现象。 多孔硅的发光现象引起了人们的极大兴趣，认为这不但可以在发光器件、大 屏幕显示等方面得到应用，更重要的是可能为以硅为基底的光电子学的发展打开 大门。我们知道，以大规模集成电路和超大规模集成电路为代表的微电子技术已 发展到了极高的水平，微细加工技术已使器件线条精度达到亚微米级，并正向器 件的物理极限尺寸——0.1µm 逼近。进一步提高集成电路性能的方向之一，是将 传播速度更快、信息容量更大的光引进集成电路，形成光电集成，即进入光电子 学领域。集成电路是以单晶硅为基底材料，但是单晶硅只能在红外区发射极微弱 的光，如果将多孔硅发光性能与已经高度发展的集成电路技术结合起来，将为光 电子学的发展开辟一条新路。 90 年代多孔硅的研究进入了一个新的阶段，形成了一个热潮。研究重点是 多孔硅的结构，包括它的空间结构和微观结构，多孔硅的发光机理以及形成机理。 1996 年，Tsybeskov 等人[4]通过提高后处理温度，改善氧化物和界面质量以及改 进器件结构后制成的硅发光器件，可使发光持续几个星期，效率达到 0.1% 。而 且值得指出的是该器件是在半导体工艺兼容的条件下制备的。几个月后， [5] [6] Tsybeskov 小组 和 Hirxchman 小组 利用硅微电子制备工艺将双极晶体管和多 2 第一章 绪 论 孔硅发光管集成在一个硅片上并制成了集成电路阵列。这意味着将硅基