微电子器件基础第七章习题解答.ppt

第七章 金属-半导体（MS）接触 1、 接触电势差 ， Al-Cu Al电位高于Cu电位 Au-Cu Cu电位高于Au电位 W-Al Al电位高于W电位 Cu-Ag Ag电位等于Cu电位 Al-Au Al电位高于Au电位 Mo-W Mo电位高于W电位 Au-Pt Au电位高于Pt电位 2、 A、C金属的接触电势差 B、C金属的接触电势差 若温度相等，A、B金属的接触电势差与金属C无关， 3、 不考虑界面态，与Al接触的接触电势差， N型硅功函数 Al电位高于N型半导体电位，半导体表面形成N型反阻挡层 不考虑界面态，与Au接触的接触电势差， Au电位低于N型半导体电位，半导体表面形成N型阻挡层 不考虑界面态，与Pt接触的接触电势差， Pt电位低于N型半导体电位，半导体表面形成N型阻挡层 4、 P型硅功函数 不考虑界面态，与Al接触的接触电势差， Al电位高于P型半导体电位，半导体表面形成P型阻挡层 不考虑界面态，与Au接触的接触电势差， Au电位低于P型半导体电位，半导体表面形成P型反阻挡层 不考虑界面态，与Pt接触的接触电势差， Au电位低于P型半导体电位，半导体表面形成P型反阻挡层 5、 红光波长 ，对应光子能量， 紫光波长 ，对应光子能量， 红光照射金属时，不能从金属中激发光电子到真空中。 紫光照射金属时，能从金属中激发光电子到真空中，光电子的能量， 波长185nm紫外光照射金属时，从金属内激发到真空中的光电子能量， 6、 半导体侧的势垒高度 N型阻挡层 加 反向电压时的势垒区宽度（厚度）， 7、 由热电子发射模型得到的肖特基势垒二极管反向饱和电流密度， 由表7-4，得到锗（111）面与金属接触对应的有效理查逊常数， 室温下，反向饱和电流密度， 8、 正向电流密度， 室温下，