微电子第二讲.ppt

* 三、简化电路模型 折线等效：在主要利用二极管单向导电性的电路中， 　　　　　实际二极管的伏安特性。 I V VD(on) I V O a b I V VD(on) a b VD(on) RD D + - 理想状态：与外电路相比，VD(on) 和 RD 均可忽略时， 　　　　　二极管的伏安特性和电路符号。 开关状态：与外电路相比，RD 可忽略时的伏安特性。 简化电路模型：折线等效时，二极管的简化电路模型。 a b VD(on) D + - * 四、小信号电路模型 * 四、小信号电路模型 rs rj Cj I V Q rs：PN 结串联电阻，数值很小。 rj：为二极管增量结电阻 （肖特基电阻）。 注意：高频电路中，需考虑 Cj 影响。 Cj：PN 结结电容，由 CD 和 CT 两部分构成。 * 前三种电路模型用来计算二极管上加特定范围内电压 或电流值时的响应。 小信号模型限于计算叠加在Q点上微小电压或电流的响应。 * 一、图解分析法 　　分析二极管电路主要采用：图解分析法、简化分析法、小信号等效电路法。(重点掌握简化分析法) 写出管外电路直流负载线方程。 1.3.2　晶体二极管电路分析方法 　　利用二极管曲线模型和管外电路所确定的负载线，通过作图的方法进行求解。 要求：已知二极管伏安特性曲线和外围电路元件值。 分析步骤： 作直流负载线。 分析直流工作点。 优点：直观。既可分析直流，也可分析交流。 * 例 1　已知电路参数和二极管伏安特性曲线，试求电路的 　　　静态工作点电压和电流。 + - R VDD D I + - V 由图可写出直流负载线方程：V = VDD - IR 在直流负载线上任取两点： 解： 连接两点，画出直流负载线。 I V Q VDD VDD/R VQ IQ 令 I = 0，得 V = VDD； 令 V = 0，得 I = VDD / R； 所得交点(VQ , IQ)，即为 Q 点。 * 例 2　已试求图(a)所示电路的静态工作点电压和电流。 D R1 R2 + — VDD (a) + - RT VT D I + - V (b) I V Q VT VT/RT VQ IQ (c) 用戴维南定理将图(a)中的关外电路简化成图(b)所示电路，其中VT = VDD R2/(R1+R2)，RT= R1//R2。 可写出直流负载线方程：V = VT - I RT 解： * 二、简化分析法 　　即将电路中二极管用简化电路模型代替，利用所得到的简化电路进行分析、求解。 将截止的二极管开路，导通的二极管用直流简化电路 　 模型替代，然后分析求解。 (1)估算法 判断二极管是导通还是截止？ 假设电路中二极管全部开路，分析其两端的电位。 理想二极管：若 V 0，则管子导通；反之截止。 实际二极管：若 V VD(on)，管子导通；反之截止。 当电路中存在多个二极管时，正偏电压最大的管子 优先导通。其余管子需重新分析其工作状态。 R1 D1 D2 R2 VDD2 VDD1 VO VI + _ + _ + _ + _ 100k ? 200k ? 100V 25V A (a) R1 D1 D2 R2 VDD2 VDD1 VO VI + _ + _ + _ + _ 100k ? 200k ? 100V 25V A I (b) 如图(a)所示电路中， D1， D2的VD(on) =0.7V，RD=100 ?，试画出VO 随VI变化的传输特性。 将D1、D2 看为理想二极管 * R1 D1 D2 R2 VDD2 VDD1 VO VI + _ + _ + _ + _ 100k ? 200k ? 100V 25V A I1 VI/ V VO/ V 0 137.5 100 25 25 当VI 25V时，D1和D2 都截止，得VO = VDD2 =25V。 当VI 25V时，D1导通和D2 仍截止， 得通过D1的电流I1 ： 此时VO ： 当VO= VA = 100V时： * 四、小信号分析法 　　即将电路中的二极管用小信号电路模型代替，利用得到的小信号等效电路分析电压或电流的变化量。 分析步骤： 将直流电源短路，画交流通路。 用小信号电路模型代替二极管，得小信号等效电路。 利用小信号等效电路分析电压与电流的变化量。 * 第 1 章　晶体二极管 例 6　如图(a)所示电路中， IQ =0.93mA，R=10k ?，△VDD=sin2π×100t(V) ,试求△V。 R10k ? D + _ + _ VDD △VDD (a) R + _ △VDD △V + _ (b) rs rj △I 解： 令V