突破间接带局限创#基激光器！.PDFVIP

特约专稿 突破间接带局限! 创新# 基激光器! 王! 启! 明’ （中国科学院半导体研究所! 国家集成光电子学联合重点实验室! 北京! ($$$) ） 摘! 要! ! *+ 基高效发光与受激光发射是*+ 基光子学突破性发展的关键课题，它的实现对*+ 基微电子学的发展 有深远的重大意义, 由于受到天然*+ 材料间接带能带结构的限制，*+ 材料的发光效率极低，更谈不上可实现受激光 发射，人工改性就成为当代研究、开拓的主要途径, 新的*+ 基直接带体材料（如 - ./*+ 等）的探索，0/1 *+ 量子阱、 ! # 超晶格、量子点的能带工程介观改性，子带发光跃迁的探索，异类元素插入短周期超晶格中的化学键改性，以及 *+2# 高浓度34 - *+ 的生成和高激活度稀土离子的掺入发光等已开展了多途径的研究，不同程度上取得了重要的进 展，一种56* 结构电子隧道注入高效发光器件已在*+2 ：78 52* 结构中实现, 运用激光器件物理的深入设计和新 # 的器件技术的引入，可以预计本世纪初叶，对实现*+ 基激光器的奢望将会成为现实，无疑它对*+ 基光子学、*+ 基集 成光电子学乃至信息高科技的发展将作出历史性的巨大贡献, 关键词! ! *+ 基材料，纳米技术，能带工程，稀土离子，激光器件 $%’()*%+,-* +. )* #/0#%1) 2’/0 3 -’4 5#6#)’)#+/ .+% )* %’5#7’)#+/ +. #82’90 5’9% 0:#19 9:;0 +=5+3’ （!#$ %$ ’()* +#,(-#(- (* .*$/-#$0 12 ($3$4-(*)45 ，.*5)6$ (7 !$8)4(*064(-5 ，9:)*$5$ ;4#0$8 (7 !4)$*4$5 ，$)= )*/ ($$$) ，9:)*# ） ;29)%’1)! ! ?@/ A/BC+DBE+F3 FG @+@ /GG+4+/34H CIJ+3/K4/34/ B3L KE+JICBE/L /J+KK+F3 +K FG A/BE K+3+G+4B34/ GFA E@/ L/M/CFNJ/3E FG *+=OBK/L N@FEF3+4K B3L BLMB34/L *+=OBK/L J+4AF=FNEF/C/4EAF3+4K, PFQ/M/A ，E@/ CIJ+3/K4/3= 4/E /GG+4+/34H FG *+ +K EFF CFQ ，/M/3 OBA/CH /3FI@ EF A/BC+D/ KE+JICBE/L /J+KK+F3 LI/ EF E@/ +3L+A/4E /3/AH OB3L KEAI4EIA/, ?@/A/GFA/ ，K/BA4@+3 GFA QBHK EF BAE+G+4+BCCH JFL+GH E@/ FA++3BC *+ JBE/A+BC NAFN/AE+/K +K B3 +JNFAEB3E NAFR/4E, 5B3H /GGFAEK @BM/ O//3 JBL/ EFQBALK E@+K EBA/E Q+E@ L+GG/A/3E L/A//K FG KI44/KK ，+34CIL+3 A/K/BA4@ F3 CIJ+3/K4/34/ GAFJ !=./*+# ，0/1 *+ JICE+=SIB3EIJ Q/CCK ，LFEK B3L KINN/A=CBEE+4/K ，E@/ ABL+BE+M/ EAB3K+E+F3 O/=