Ga原子在GaAs表面吸附行为及纳米温度计的分析研究.pdfVIP

摘要 本文主要由两部分组成：A)单个Ga原子在GaAs(001)B 表面迁移行为的研究。B)碳纳米管中Ga的膨胀行为的理论研究 t 在第一部分中，我们利用经验势的方法计算给出了Ga原子以及As原子在 我们找到的Ga原子在该表面上的能量较低的吸附位，这些吸附位与实验上得 到的一致。此外，我们还发现了Ga原子在该表面上进行迁移的可能的路径。 根据这些可能的迁移路径上的相对吸附能，我们发现Ga原子更喜欢沿着平行 于表面上的As原子对的两条路径进行迁移。对于这个结论，我们可以用Cra 路径。另外，我们还对Ga原子在有限温度下在该表面上进行迁移的动力学过 程进行了模拟计算。计算结果与实验也是定性相符的。 在第二部分中，我们主要研究了Ga在碳纳米管中的热膨胀行为。我们首 先介绍了关于纳米温度计的概念，以及纳米温度计所使用的材料。紧接着我 体系进行有限温度下的动力学模拟。所计算得到Ga在碳纳米管中的膨胀系 数，其结果与实验值接近。我们发现炭纳米管中Ga柱的长度随温度的变化基 本是线性的，这一结果有可能为纳米温度计的制备提供理论解释。 关键词：GaAs表面经验势密度泛函理论纳米温度 Abstract of G-a in Thisthesiscontainstwo anextraatomtheGaAs pa啦：a)Diffusion of SllrfaCCo coefficientGRIIJulll b)The (001)陀(2×4)riela-Asexpansion incarbonnanotube． encapsulated In ofart The sulfacoforthe cxllaGaatom partA pote-atialenergy migration Onthe X out calculations GaAs(001)132(24)．8urfllt∞WaSmappedbyperforming atthelevel bond-order onour calculations,Wehave ofanalyticalpoteatial．Based foundsome sitesforthe ofOilextraGaatominthe lower．energy adsorption arein with the possible surface,whichagreementexperimentMoreover,many for趾extra．Gaatomdiffusioninthissurfacehavebeenrevealed． pathways totherelative ofthe have out According elnelgiespossiblepathways，wepointed thattheindividualOaadatoms