InP柱型量子线中隧穿时间和逃逸问题的研究.pdfVIP

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．23(2014) 237303 InAs／InP柱型量子线中隧穿时间和逃逸 问题的研究冰 黎明 陈军 宫箭十 (内蒙古大学物理科学与技术学院，呼和浩特 010021) (2014年6月25日收到；2014年8月4日收到修改稿) 在有效质量近似和绝热近似下，利用转移矩阵法研究了电子通过InAs／InP／InAs／InP／InAs柱形量子线 共振隧穿二极管的输运 问题，分析和讨论了电子居留时间以及 电子的逃逸过程．详细研究了外加电场、结构尺 寸效应对居留时间和 电子逃逸的影响．居留时间随电子纵 向能量的演化呈现出共振现象：同时，结构的非对 称性对 电子居留时间有很大的影响，随着结构非对称性 的增加，居留时间表现出不 同的变化．利用有限差分 方法研究了非对称耦合量子盘中电子的相干隧穿逃逸过程． 关键词：量子线，居留时间，共振隧穿，逃逸 PACS：73．21．Hb，73．40．Gk DOI：10．7498／aps．63．237303 等 []通过在 InAs量子线中内置双 InP异质结的方 法，成功制备了纳米线共振隧穿二极管 (RTD)，这 1 引 言 对大带隙异质结器件设计制造有重要的意义．同 电子及光 电设备影响社会 的很多领域，从简 年 瑞典Lund大学的Samuelson小组将分子束外 单的家电和多媒体系统到通信、计算机、医疗器械 延技术与VLS技术相结合，在GaAs衬底上生长 等诸多方面 【，引．在这样大的需求下，要求开展 出了包含InAs／InP异质结构的量子线．2003年， 更多新功能和强大性能器件 的开发和应用 同时 Bakkers和Verheijen[0】在荷兰的飞利浦研究实验 给量子线器件 的发展 以更大平 台．1976年，日本 室成功生长了纳米管．2006年，Fukui等成功制备 东京大学的Sakaki等 0【】在半导体超 晶格的基础 了A1GaAs／GaAs和InP／InAs核／壳层结构的量子 上，提出了量子线的概念．量子线中载流子在二 线．InAs是制造量子线的理想材料，首先InAs能 维平面 内受限，只可 以在单方 向自由运动 4[5】．微 带带隙小，只有0．35eV；其次InAs电子有效质量比 加工技术的兴起和发展，加快了低维半导体器件 较小 (mIA =0．023m0，m0为真空中电子净质量)， 在实验上 的制备和检测．但 由于实验技术 的相 具有较高的电子迁移率，可在量子线中出现强的 对滞后，直到1989年才相继 出现 了一些关于量子 量子限制效应 以及大的能级劈裂．2005年 Bj6rk 线的实验报道 [6J|2001年，Ohlsson等 [】基于气一 等 [1o]指出，InAs的费米能级在导带附近会积聚很 液一固(VLS)方法，在实验上生长出高质量的III—V 多载流子，且InAs的欧姆接触和部分金属类似．因 族半导体纳米线，可 以用来制备场效应晶体管器 此，InAs量子线在制造纳米器件方面有广泛的应 件和纳米发光二极管．量子线的制备过程 中，由 用，如场效应管 、单电子晶体管 [12]及 电子存储 于InP／InAs材料体系具有较大的晶格失配，所以较 器 [13]等． 难实现．随着人们不断努力和探索，2002年，Bj6rk 隧穿是量子力学 中一个 奇特 的物理现 象， 国家 自然科学基金 (批准号和内