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NAND闪存数据库中存储管理技术探究摘要：闪存存储作为新一代的存储介质，存取速度快、耗电量小、存储内容非易失、小巧轻便等是取代磁盘作为计算机系统主要数据存储介质的首选。但现有的数据管理软件都是在传统的磁盘数据存储上针对磁盘的物理特性进行设计和优化的，直接在闪存存储上应用这些软件无法充分发挥闪存存储的优越性、满足数据管理的需求。 关键词：NAND 闪存数据库 闪存转换层技术 一、NAND概述 NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。 闪存结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的变通性的优点。 EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块（block），这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位（bit）设置为“1”（而所有字节（byte）设置为FFh）。有必要通过编程，将已擦除的位从“1”变为“0”。最小的编程实体是字节（byte）。一些NOR闪存能同时执行读写操作。虽然NAND不能同时执行读写操作，它可以采用称为“映射（shadowing）”的方法，在系统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年，即将BIOS从速率较低的ROM加载到速率较高的RAM上。 二、NAND的优势 NAND的效率较高，是因为NAND串中没有金属触点。NAND闪存单元的大小比NOR要小（4F2﹕10F2）的原因，是NOR的每一个单元都需要独立的金属触点。NAND与硬盘驱动器类似，基于扇区（页），适合于存储连续的数据，如图片、音频或个人电脑数据。虽然通过把数据映射到RAM上，能在系统级实现随机存取，但是，这样做需要额外的RAM存储空间。此外，跟硬盘一样，NAND器件存在坏的扇区，需要纠错码（ECC）来维持数据的完整性。 存储单元面积越小，裸片的面积也就越小。在这种情况下，NAND就能够为当今的低成本消费市场提供存储容量更大的闪存产品。NAND闪存用于几乎所有可擦除的存储卡。NAND的复用接口为所有最新的器件和密度都提供了一种相似的引脚输出。这种引脚输出使得设计工程师无须改变电路板的硬件设计，就能从更小的密度移植到更大密度的设计上。 三、NAND与NOR闪存比较 NAND闪存的优点在于写（编程）和擦除操作的速率快，而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写（编程）操作的能力。NOR的随机存取能力支持直接代码执行（XiP），而这是嵌入式应用经常需要的一个功能。NAND的缺点是随机存取的速率慢，NOR的缺点是受到读和擦除速度慢的性能制约。NAND较适合于存储文件。如今，越来越多的处理器具备直接NAND接口，并能直接从NAND（没有NOR）导入数据。 NAND的真正好处是编程速度快、擦除时间短。NAND支持速率超过5Mbps的持续写操作，其区块擦除时间短至2ms，而NOR是750ms。显然，NAND在某些方面具有绝对优势。然而，它不太适合于直接随机存取。 对于16位的器件，NOR闪存大约需要41个I/O引脚；相对而言，NAND器件仅需24个引脚。NAND器件能够复用指令、地址和数据总线，从而节省了引脚数量。复用接口的一项好处，就在于能够利用同样的硬件设计和电路板，支持较大的NAND器件。NOR闪存的随机存取时间为0.12ms，而NAND闪存的第一字节随机存取速度要慢得多。 四、闪存转换层技术 1.传统的闪存转换层 闪存发展之初，NOR闪存占据了市场的主流，所以开始的闪存转换层是针对NOR闪存而设计的。后来，公司为在NAND闪存上使用做了一些改进，推出了页模式优化的闪存转换层。 虽然常见的各种类型的闪存转换层是将闪存存储设备模拟成与传统磁盘设备一致的块设备结构，使得对于传统磁盘的文件管理技术可以直接应用在闪存上。随着闪存容量的增加，单闪存芯片内的页面数量也迅速增加，实现逻辑地址到物理地址转换的映射表的项数也就随之增多，每一项所需的字节数也可能要增多，这些映射表往往是存储在内存中，造成内存开效果打。为了克服这个问题，一些新的闪存转换层被陆续提出。 2.改进的闪存转换层 NFTL是以块为基本管理单元，与以页面为基本管理单元的传统的闪存转换层策略相比，内存消耗降低明显。NFTL的主要原理是：以块为管理力度；每一个逻辑块都被对应到一个物理擦除块，称为主块PB，逻辑块内的页面与实际映射到的物理块内的页面一一顺序对应。 当上层文件系统向转换层提出对某个逻辑块内的页面进行更新的操作请求时，由于闪存介质不管原地更新，转换层会为该页面所属的逻辑主块分配一个