面心立方晶体外延膜沉积生长中失配位错的结构与形成过程!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 BB ! #%%I ! ， ， ， U/9 DBB ?/ D ! @5+25); #%%I （ ） !%%%L$#Q%H#%%IHBB %! H%$’#L%I FR7F (ST40RF 40?0RF !#%%I R8*+ D (8;1 D 4/, D 面心立方晶体外延膜沉积生长中失配位错 的结构与形成过程! ） ） ） ! ! # 周耐根 周 浪 杜丹旭 !）（南昌大学 材料科学与工程学院，南昌 $$%%’ ） ）（ ， ， ， ） # ()*+,-./+ 0+1.*.2.- 3/) 4,*-+,- 5+6 7-,8+/9/:; /3 5.-)*591 ()*+,-./+ =+*-)1*.; ()*+,-./+ ?@ %AB# （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #%%B #% #%%B B # 用分子动力学方法对 负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟 铝原子间 B C D 的相互作用采用嵌入原子法（ ）多体势计算 模拟结果再现了失配位错的形成现象 分析表明，失配位错在形成 EF D D 之初即呈现为 扩展位错，即由两个伯格斯矢量为〈 〉 的部分位错和其间的堆垛层错组成，两个部分位 48/,G9-; #!! HI 错的间距、即层错宽度为!JA +K，与理论计算结果一致；外延晶体薄膜沉积生长中，位错对会发生滑移，但其间距保 持稳定 进一步观察发现，该扩展位错产生于一种类似于“局部熔融 重结晶”的表层局部无序紊乱 有序化过程；而 D L L 这种表层局部紊乱或熔融则起自于失配应力作用下表层挤出四面体的形成，这种挤出四面体在大多数情况下可由 原子间相互作用拉回，其消长呈统计涨落，而在个别情况下则发展成为局部紊乱区，成为其后位错形成的核心D 关键词：失配位错，外延生长，薄膜，分子动力学，铝 ： ， ， !## I!#%@ IABB I!’%M 发生在原子尺度和纳秒时间以内，到目前为止尚缺 !J 引 言 乏相应的分析研究手段，通过实验和分析也难以获 得薄膜失配位错形成的微观动态过程和机理D 随着微电子和光电子