SOI射频开关测试结构特性参数分析.pdfVIP

第37卷 第1期 固体电子学研究与进展 RESEARCH PROGRESSOFSSE Vo1．37．No．1 2017年 2月 Feb．，2017 ＼ p 射频与微波 、 SO1射频开关测试结构特性参数分析 刘张李 (上海华虹宏力半导体制造有限公司，上海，201203) 2016—07—02收稿 ，2016-08—29收改稿 摘要 ：以0．2 m SOIRF工艺平 台为基础 ，对射频开关测试结构基本特性参数进行分析研究。研究 内容包括 ： a)栅极和衬底通过反向二极管连接Ib)浮体器件 ；c)衬底通过大电阻接地 (HRGND)；d)衬底通过大电阻连接到栅 极控制端(HR，V。— )等四种结构。比较分析了其插入损耗、隔离度及谐波特性，并阐明产生差异的机制。研究 结果可以为射频开关器件结构和 电路设计做参考。 关键词 ：绝缘体上硅 ；射频开关 ；插入损耗 ；隔离度 ；谐波 中图分类号：TN432 文献标识码 ：A 文章编号：1000—3819(2017)01—0021—05 CharacteristicsAnalysisofTestStructureforSOIRF Switch LIU Zhangli (ShanghaiHuahongGraceSereiconductorManufacturingCorporation，Shanghai，201203，CHN) Abstract：Baseoncommercial0．2 “m SOIRFprocessplatform ，characteristicsofteststruc— tureforSOIRF switchapplicationwasinvestigated．Thefourstructureswereincluded：a)gate connectedtothebodybyreversediode，b)floatingbody structure，c)substrateconnectedto GND byhighresistance(HR)，andd) substrateconnectedtogatecontrolledterminalbyHR (HR，V uh—V )．ThedistinctionofinsertionlOSS，isolationandharmoniccharacteristicswasdis— cussedindetail．Theresultcanbeasareferencefordeviceoptimizationandcircuitdesign． Keywords：silicon-on-insulator (SOI)；RF switch；insertion loss(IL)；isolation (ISO)；har． mOllic 且基于 SOI的功率放大器也 已广泛研究[3]。虽然 士 丘 MEMS的射频开关特性 优异 ，但 工艺有特殊要 求[5]。随着智能手机标准的进化 ，在 2G应用需约 6 射频前端模块可 以通过很多技术实现 ，绝缘体 路开关可以满足应用 ，而到 4GLTE则可能多达 30 上硅 (Silicon—on—insulator，SOI)与传统 CMOS工