Cu(In%2cGa)S2薄膜和CuInSe2%2fCdS复合薄膜的制备及光电性能表征.pdfVIP

摘要 摘要 随着社会的进步、经济的发展，人们对能源需量求越来越多，而不可再生能源的枯 竭以及对环境造成的污染与破坏已经成为2l世纪主要问题之一。将太阳能转换成电能 是解决能源枯竭和地球环境污染等问题的一个最好、最直接和最有效的方法之一。在各 热点。 CIGS是一种I．111．Ⅵ族四元化合物直接带隙的半导体材料，黄铜矿的晶体结构。 其禁带宽度可以在1．04一1．67eV范围内调整，可见光吸收系数高达105cm1数量级。 CIGS薄膜太阳电池因具有转换效率高、性能稳定、可薄膜化和低成本等优点而最有可 能实现商业化生产的第三代太阳电池。制备低成本、高质量和大面积的CIGS吸收层是 实现CIGS太阳电池的商业化生产的关键所在。在众多的制备方法中，电化学沉积法制 备CIGS薄膜具有成本低、可实现大面积制备、原材料利用率高和制备系统稳定性好等 优点而受到广泛关注，具有良好的应用发展潜力。本论文利用一步电化学法制备了CIGS 薄膜，在此基础上通过化学水浴制备了CdS缓冲层。研究了沉积条件对CIGS形貌结 构的影响，并且利用表面光伏技术研究了CIGS薄膜以及CIS／CdS薄膜的光电特性。 首先以氯化铜，三氯化铟，三氯化镓，亚硒酸以及氨基磺酸和邻苯二甲酸氢钾做为 缓冲剂的水溶液做为电解液，添加缓冲剂氨基磺酸和邻苯二甲酸氢钾，调节溶液pH值 避免了沉积过程中氢气的产生，利用一步电化学法在FTO玻璃基底上沉积出CIGS薄 晶效果最为理想。同时采用表面光伏技术，研究了不同化学计量比对CIGS薄膜中光电 好。 其次通过在CIS薄膜上利用化学水浴法沉积了CdS过渡层，利用表面光伏技术研 Cu(In，Ga)Se2薄膜和CulnSe2／CdS复合薄膜的制备及光电性能表征 进了光生电子．空穴对的分离。 关键词：CIGS薄膜，电沉积，CdS，表面光伏 Ⅱ Abstract ABSTRACT withsocial demand and Along progress，economicdevelopment，energyhigherhigher, whilethe ofnon-renewableandtheenvironmentcaused and depletion energy bypollution destructionhasbecameoneofthemain ofthe21st USeofsolarcells problems century．The convertsolar intoelectrical is tosolvethe of directly energy energy problemsenergy andtheearthandenvironmentalis ofthe one ofthemostdirect depletion pollution best，one and mosteffective ofsolarcellsfrom absorb way．Varioustypes ofsolarcellstobecomearesearch inthefieldof isa layer hotspot photovoltaic．CIGS l·lIl-VI semiconductora structureof