浑亚微米GGNMOS地ESD防护特性研究.pdf

第一章绪论 第一章绪论 ESD(ElectroStatic Pulse， Discharge)即静电放电，与闪电和EMP(ElectroMagic Over 电磁脉冲)同属于EOS(ElectricStress，电过应力)范畴。静电放电现象无 处不在，并且对生产和生活尤其是微电子行业带来了极大的危害，由此而带来的 损失也越来越严重。因而针对ESD现象的研究已经成为当今微电子领域研究的重 要课题之一。本章首先讨论了ESD现象的产生和危害性，综述了ESD防护研究的 发展和现状，并简要介绍了常用ESD防护措施和几种常见的ESD保护器件及工作 机理，最后介绍了本文的主要研究内容和意义。 1．1静电放电现象及危害 ESD现象在日常生活中随处可见，在寒冷干燥的冬季，当我们用手触碰到他 人或者其它导体的时候经常会被“电击”，并伴随着“啪啪”的声音，这其实就是 一种静电放电现象。静电也是一种电能，存在于物体表面，是正负电荷在部分失 衡时产生的。一种现象。静电产生的原因有很多，像接触分离起电、摩擦起电、传 导起电和感应起电等等。从起电类型上分主要包括气体起电、液体起电、粉体起 电和固体起电。当带静电荷的物体跟其它物体接触时，依据电荷中和的原则，这 两个具有不同静电电位的物体之问会产生电荷流动，并传送足够的电量抵消压差， 这种传送过程就是静电放电现象。 静电放电的典型时间在0．2～200ns，所以说ESD是一个瞬态事件，在电量的高 速传送过程中，将产生潜在的破坏电流、电压和电磁场，严重时会击毁其中的物 体，可见静电放电有很大危害。尤其从现代工业开始发展之时，ESD现象与我们 生活生产的关系更为紧密，／J,至O平时的“电击”，大到ESD引发的火灾。据报道人 体在聚乙烯地板上行走就可以产生12000V的静电电势【1J，在微电子领域内，这种 影响将带来不可估计的后果。当带有静电的物体靠近或接触到IC(Integrated Circuit，集成电路)的金属引脚时会产生瞬间高压放电，放电电流会经过金属引脚 影响内部电路。这股电流非常强烈，产生的热效应可以烧毁IC芯片的内部电路， 文献【2]中指出，IC工业中ESD失效大约占据IC总失效模式的12％，并且实际情 况中ESD失效率会大大超过12％的值，图1．1是硅IC失效的情况分布图；另外， ESD失效还有一个重要特点，那就是损伤的潜在性，这种损伤只有10％会在最终 测试前导致整个芯片失效，也就是说其余90％是在发货给客户之后导致IC出现失 效，在终测前是无法被发现的。除去这种潜在损伤，ESD现象每年仅仅在成品率 和早期失效方面就能使世界电子工业蒙受数十亿元的损失，可见ESD的危害之大。 可是由于ESD现象的特殊性，ESD现象本身很难避免和控制，因此必须对ESD防 2 深亚微米GGNMOS的ESD防护特性研究 护进行细致的研究，并积极采取防护措施。 图1．1硅Ic失效的情况分布 1．2ESD防护研究的发展和现状 其实对ESD防护的研究已经有很悠久的历史，早在15世纪，欧洲军事部门就 采取措施保护军用产品不受ESD损坏；18世纪富兰克林在著名的风筝实验中发明 的避雷针也是一种ESD防护器件，至今仍为我们所用；1947年半导体晶体管的发 明和20世纪60年代金属氧化物半导体(MOS)技术的发展，让看不见的ESD现 象显现出来；1968年Wunsh和R．R．Bell在热扩散时间常数机制中引进了功率失效 究协会成立，主要研究电子行业的EOS和ESD问题，寻求解决方法。 Scale 现在，随着微电子技术向大规模集成(VeryLarge Integration，VLSI)发 展，集成电路更容易受到ESD损坏，此时微电子领域的ESD防护研究已经受到格 外重视。在国外，多数大的电子制造商在八十年代初已经建立了他们的ESD组织 机构，专门负责ESD方面的工作，例如美国朗讯科技公司的失效分析报告显示， 在实施ESD专项工作之前，每年半导体制造与ESD相关的损失达到3．25亿美元