PN结SiGe典型数据ND=1015cm-湖南大学.PPT

* 雪崩击穿 ● N P xm ● ○ E ● ○ ● ○ 二极管反向电压大，势垒区电场E大，载流子通过势垒区加速运动获得足够的动能，运动中与晶格原子碰撞，使原子外层价电子碰撞电离，产生新的电子—空穴对； 新产生的载流子在强电场中获得足够的动能与晶格原子碰撞，产生第二代电子—空穴对，连续碰撞使载流子数倍增（雪崩倍增），反向电流迅速增加； 由碰撞电离决定，杂质浓度低，势垒宽度 xm大，反向电场大，易发生雪崩击穿。 * 雪崩击穿与隧道击穿的区别 雪崩击穿与隧道击穿都在强电场作用下发生且可逆 雪崩击穿 隧道击穿 取决于碰撞电离（xm宽，载流子加速获得能量，电场强），低掺杂结 取决于隧道几率（禁带水平距离d小，xm窄，电场强），重掺杂结 光照或快速粒子轰击等可产生碰撞电离 光照等外界作用没有影响 温度升高，碰撞电离作用降低，击穿电压增加，VB6V 温度升高，禁带宽度减小，隧道几率增加，击穿电压降低，VB4V * 2 雪崩击穿电压 雪崩击穿条件 一个载流子通过势垒区碰撞电离所产生的电子空穴对数为： 实验分析表明： 一般 g = 7 Si-PN结： Ge-PN结： 电场与位置有关，则电离率也与位置有关。 电离率αi ——在电场作用下，一个载流子漂移单位 距离碰撞电离产生的电子空穴对数。 * 倍增因子M ——势垒区内碰撞电离引起电流密度增 长的倍数。 电离前的反向电流密度为 j0，倍增后的反向电流密度为 j，可推得倍增因子： 雪崩击穿的条件： 一个载流子通过整个势垒区，碰撞电离产生一对电子空穴，M→∞，即j 趋于无穷大，PN结发生雪崩击穿。 * 实验得出，倍增因子M与雪崩击穿电压VB以及外加反偏电压V 有如下关系： 系数 Si Ge N P N P n 4 2 3 6 VVB时，M = 1，即 j = j0，无碰撞电离倍增现象； V ≤ VB时，M 1，即 j j0，已有碰撞电离倍增现象，但未达到雪崩击穿； V = VB时， M→∞，即j →∞，PN结发生雪崩击穿。 * 单边突变结雪崩击穿电压 进行积分变量变换，推得雪崩击穿临界电场强度： 将 代入 ， 由 求得： * 单边突变结普遍适用的经验公式为： Ge-P+N结： Si-P+N结： * 线性缓变结雪崩击穿电压 雪崩击穿条件： 电场分布函数： 进行积分变量变换，推得雪崩击穿临界电场强度： * 普遍适用的经验公式为： 由 Si-PN结： Ge-PN结： 求得： * 3 影响雪崩击穿电压的因素 杂质浓度及其分布的影响 xm x 0 E Em1 Em2 Em3 突变结 线性缓变结 p-i-n结 Em1 Em2 E x xm1 xm2 εB 0 * 外延层厚度的影响 击穿电压高，要求衬底杂质浓度低；但衬底杂质浓度低，则串联电阻大。解决此矛盾，采用外延层结构，即在杂质浓度较高的N+层上，外延生长一层杂质浓度低的N型外延层，再在外延层上制作PN结，成为P+-N-N+结构。 N+ N（外延层） P+ Wn x xm Wn2 Wn1 E EB 0 VB′ * 棱角电场的影响 在纵向扩散的同时，杂质沿表面横向扩散，使PN结的侧面近似为园柱形曲面（柱面结），尖角附近近似为球面（球面结），不再是平面结； 棱角结（柱面结与球面结）区的空间电荷区宽度比平面结区窄，电场集中，最大电场强度比平面结区高，PN结首先在棱角结区雪崩击穿。 克服棱角电场集中对雪崩击穿电压的影响，常采用的方法有：深结扩散，磨角，加分压环等。 * 常见的不良击穿现象 软击穿：IS较大且不饱和 靠背椅击穿：表面沟道漏电 管道击穿：合金点局部先击穿 蠕变：曲线变化不稳定 低压击穿：材料缺陷多 负阻击穿：热电击穿的结果 V I 0 软击穿 正常击穿 低压击穿 管道击穿 靠背椅击穿 负阻击穿 蠕变 * 第一章习题作业 第1、2、3、5、6、9题 * 思考题 为什么PN结中由于电子和空穴相互扩散形成的交界区称为空间电荷区，势垒区，耗尽区？ 用费米能级概念说明半导体掺杂浓度越高，势垒高度越大。 推导PN结电流——电压关系时作了哪些假设？ 泊松方程的物理意义是什么？应用泊松方程分析PN结势垒时作了哪些近似？ PN结势垒厚度随外加电压如何变化？电子、空穴如何流动改变势垒厚度？ 势垒电容与平行板电容有哪些相似和区别？ 如何理解扩散电容？与势垒电容有何不同？ 什么是雪崩击穿？什么是隧道击穿？他们的产生条件