多晶硅片酸腐蚀制绒面技术.doc

多晶硅片酸腐蚀制绒面技术 Erik Stensrud Marstein, Hans J鴕gen Solheim, Daniel Nilsen Wright and Arve Holt Section for Renewable Energy, Institute for Energy Technology, P.O.Box 40 NO-2027 Kjeller, NORWAY 摘要 在本文中,从对酸腐蚀绒面的研究得出的结果。因为在切割好的多晶硅片和抛光后的单晶硅片的过程中所产生的损伤会被酸性混合溶液腐蚀。该混合物中包括氢氟酸，硝酸，与去离子水，而磷酸或硫酸则作为稀释剂。在腐蚀刚开始的阶段，因为硅片切割时产生的表面裂缝，转化深和长的坑。这种坑所产生的反射是很低的。然而，由于进行酸腐蚀损坏的表面区域之外，更多的反射，泡沫般的腐蚀绒面获得。 导言 太阳电池的效率高低取决与收集光的能力。一个经过抛光的硅晶片反射率是很高的，因此通过制作绒面而减少硅晶片的反光面积是在制作太阳硅电池中很普遍的方法。目前，最常见的绒面技术是湿法碱性溶液制绒法，此种方法可以在硅晶片表面形成如金字塔状的锥状体。对于拥有（100）平面的单晶硅(sc-Si)晶片来说，采用此种技术来减少反射率是很有效的，但是它不适用与多晶硅(mc-Si)晶片的制绒，因为金字塔形成的形状取决于表面晶体的晶向。因此，多晶硅片表面各个晶粒的反射率的降低也各不相同。 图1 绒面示意图 a)还未形成绒面的晶体表面 b)晶向不同的晶体所形成的绒面 c)晶向相同晶体所形成的绒面 在多晶硅(mc-Si)晶片的表面形成更多同向绒面（看图1）一直是我们工作的重点。很多技术被研究出来，比如说机械刻槽[2]、激光刻槽[3]、等离子刻蚀[4]和酸腐蚀制绒面技术[5-12]。在以上所有技术中，最后一种技术是我们最感兴趣的。酸腐蚀制绒法已成功运用于已抛光过的单晶硅(sc-Si)晶片、切割好的多晶硅(mc-Si)晶片以及tri-crystalline硅片的处理[7]。酸腐蚀制绒法成功地融入到太阳能电池制造过程中也是一个证明[12]。 在酸腐蚀制绒法的所有优点之中可能的问题还有 a)避免一步之间就形成晶粒 b)表面损伤层去除和腐蚀制绒在两个不同的步骤之中 c）比较小的腐蚀深度d)太阳能电池制造的统一和美观。 酸腐蚀制绒时，硅片浸泡在通常含有氢氟酸酸（HF）和硝酸（HNO3），以及一个或多个添加剂的混合溶液中。虽让在此混合液中硅片溶解的整个化学反应是众所周知的，但是反应的不同机理会得到不同的绒面还有待研究。 在本文中，我们同时给出了抛光过的单晶硅和刚切割的多晶硅的酸腐蚀制绒法的研究成果。这包括一系列的氢氟酸酸（HF）和硝酸（HNO3）酸性混合物，还有比如说像去离子水、磷酸、硫酸等作为添加剂。 我们运用扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜及白光干涉仪(WLI)对绒面进行观察，对不同绒面的反射率进行测量。 在这里我们进行硅片表面结构和反射率的相关性讨论，并找出一种使光反射率显著降低的多晶硅的“碱式制绒法”。 实验 本实验中选用硼掺杂为4”的切片多晶硅片和采用直拉（CZ）（100）面取向的抛光单晶硅片，电阻分别为 0.5-2和10-15。多晶硅片和单晶硅片的厚度分别为330和525。硅片在含有氢氟酸酸、硝酸、去离子水、磷酸、硫酸的酸性混合溶液中腐蚀，反应在室温下进行。然而，因为用了很强的酸性混合液，反应的温度一直在明显的上升，反应后的硅片用去离子水清洗并吹干燥。 混合溶液导致了大部分的硅片表面或多或少被粗糙同向多孔的硅晶体薄膜覆盖。在此实验中所形成的薄膜会在几秒钟之内溶解于1%的NaOH溶液中。 各种仪器的型号及使用特点：1、日立S4800配备了扫描电镜场发射枪，光学显微镜 2、WYKO NT-2000白光干涉仪 3、Mitutoyo硅片厚度探测仪。测量材料表面的反射光谱是通过设定的测量光谱响应来实现的。每一块硅晶片上取一些晶粒测量反射率的平均值就得到了硅晶片的反射率。 结果 表面结构 图2 ：显微镜显示刚切的多晶硅片在酸性溶液中的不同腐蚀深度a)很差的腐蚀效果反射率有20% b)腐蚀的程度更高布满裂纹的硅片，反射率有17% c) 分布有腐蚀孔的损坏层的硅片，反射率为22% d)带有泡沫状孔洞的腐蚀绒面，反射率为33% 这一系列显著不同的绒面是多晶硅片在不同的酸性混合溶液中腐蚀而来的,因此，从所有混合溶液中观察出来的大概趋势，也即反射率很清楚的依赖与绒面的腐蚀程度。 从SEM显微镜拍下来的多晶硅片在酸性混合溶液中的腐蚀程度不同(看图2，a到d)可以观察出以下趋势。起初，硅片表面和刚切的硅片表面没什么区别，可以看到窄长的裂纹，裂纹长可以超过10，宽一开始也在1以下。随着腐蚀的进行，这些裂纹开始扩大，最终开始合并。此后，