电及磁及相互作用.ppt

* 因为螺绕环的自感可表示为 L = ? n 2 l S , 磁场能量与电路自感相联系称为自感磁能。 如果磁芯是用各向同性的顺磁质或抗磁质做成的，当电流达到稳定值I时，磁场能量为 ? 电磁场的能量密度 电磁场的总能量: * 例1：同轴电缆两半径分为R1和R2，充满磁导率为?的磁介质，内、外圆筒通有反向电流I。求单位长度电缆的磁场能量和自感系数。 磁场能量也只储存在两圆筒导体之间的磁介质中。 解: 对于这样的同轴电缆，磁场只存在于两圆筒状导体之间的磁介质内，由安培环路定理可求得磁场强度的大小为 * 电缆自感只决定于自身结构和所充磁介质磁导率。 磁场能量密度为 单位长度电缆自感 长度为l的一段电缆所储存的磁场能量为 * 一、位移电流(displacement current) §8-4 麦克斯韦电磁理论 麦克斯韦认为高斯定理适用恒静和非恒静情况。 四个方程存在不对称性：变化磁场可以激发电场，变化的电场不具有与变化的磁场相当的地位。 不对称性与安培环路定理的局限性是同一个问题。 电场环路定理 磁场的高斯定理 安培环路定理 高斯定理 * 判断环路是否包围电流的标准，看电流与以该环路为边界的任一曲面是否有奇数个截点，若有，就认为环路包围该电流，否则就不包围该电流。 电流恒定条件(即传导电流的连续性方程)保证穿过任意以L为边界的曲面的电流都等于传导电流I0 。 传导电流的连续性保证了安培环路定理在恒静情况下的正确性。 环路L包围电流I0(电流密度为j0)，对于以同一环路L为边界的任意两个曲面S1和S2必有 * 在非恒静情况下出现矛盾。电容器充电的情形。 在非恒静情况下，对于同一环路L得到了两个不同的结果。安培环路定律不适用。由于传导电流不连续导致非恒静条件下出现矛盾。 A B I 在电容器构成放电回路中由安培环路定理: S2 S1 I L 对曲面S1： 对曲面S2： * 电流连续性方程 将高斯定理代入，得 整理改写为 麦克斯韦把 称为位移电流密度，把 称为全电流密度，分别用 jd和 j 表示，即 全电流的连续性，传导I与位移I 之和连续，传导I中断有等量位移电流接续。 * 传导电流要激发磁场，位移电流也要激发磁场。 适用于一般情况的安培环路定理 微分形式 右边第二项是极化电荷的变化引起的位移电流。第一项是电场变化贡献的位移电流，是位移电流的基本组成部分。真空中为位移电流的惟一成分。 位移电流 位移电流并不一定与电荷的移动相对应。 * 例1：半径为R 的圆形平板电容器，充电时的传导电流为Ic ,求：1．两极板间的位移电流。2．极板间距离轴线为r 处的磁感强度。 r R Ic Ic +Q -Q 解: 以半径r 作平行于极板的圆形回路，两极板间电位移为D=σ，电位移通量： 因为： 所以： * 由全电流安培环路定理： 由于电容器极板间为空气，两板间距轴线为 r 的 p 点处磁感应强度： 联立前两式得到： * 二、麦克斯韦方程组(Maxwell’s equations) 以上四个方程式是普遍情况下电磁场所满足的基本方程式，称为麦克斯韦方程组。 电场环路定理 磁场的高斯定理 高斯定理 安培环路定理 * 麦克斯韦方程组的微分形式是 麦克斯韦方程组是研究电磁场问题的可靠理论工具。 麦克斯韦方程组不仅适用于恒静的和缓变的电磁场，电磁波的实验事实表明，它对于快速变化的电磁场也是适用的。 * 处理具体问题时，会遇到电磁场与物质的相互作用，必须补充描述物质电磁性质的方程式 只适用于真空和各向同性的介质, 在各向异性的介质中不成立。 麦克斯韦方程组边界条件 D1n=D2n, E1t=E2t , B1n=B2t , H1t=H2t 。 如果还存在非静电性电场K，则 * 麦克斯韦方程的积分形式: 能流密度矢量 在不同惯性参照系中，麦克斯韦方程有同样的形式。 * *§涡流和趋肤效应 一、涡流 (eddy current) 当大块导体处于变化的磁场中或在磁场中运动时，导体内部会产生呈涡旋状感应电流，涡电流，简称涡流。 由于导体电阻很小涡流强度会很大，有大量的 能量转变为热能，造成能量的损失称为涡流损耗。 抑制涡流：铁芯做成片状，涂敷绝缘材料，铁芯片尽量做薄，使用电阻率很大的铁氧体芯。 利用涡流：熔炼金属;真空熔炼和提纯；电磁驱动或电磁阻尼。 I * 二、趋肤效应 (s