电子在电场和磁场中及运动02.ppt

电场力 —— 沿k轴的正方向（E沿k的负方向） 电子的速度 §5.2 恒定电场作用下电子的运动 电子速度振荡 k = 0，m* 0 —— 外力作用使电子加速，v(k) 增大 k = ?/2a k ?/2a， m* 0 k = ?/a —— 电子到达能带顶部 —— 电子做减速运动 k空间布里渊区内电子运动的描述 k = -?/a ~ -?/2a 范围内，?v(k)?不断增大 k = -?/2a k = -?/2a ~ 0 —— m*(k)0，?v(k)?不断减小 —— 电子到达能带底部 电子运动在实空间中的描述 —— 电子在实空间中运动的振荡 能带的倾斜 外电场对电子能量本征值附加的能量 —电场E沿 – x 方向 电子运动的振荡 t=0电子由带底A点经过B点到达C点 —— k=0 到 k=?/a 的运动 —— 在C点电子遇到带隙，相对于存在一个位垒，电子将被全部反射回来，电子由C点经过B点回到A点 —— k=-?/a 到 k=0 的运动 —— 两个能带的情形中，电子在实空间的运动振荡 ——电子在运动的过程中，由于受到声子、杂质和缺陷的散射（碰撞），相邻两次散射之间的平均时间间隔为电子的平均自由运动时间：? ——如果? 很小，电子来不及完成振荡运动就被散射破坏了 —— ?? 1 —— ? 振荡圆频率 观察电子运动振荡的条件 振荡圆频率 如果 a ? 0.3 nm, ? ? 10-13 s，则 E 2×107 V/m —— 在金属中无法实现，对于绝缘体早已被击穿 —— 另外还有隧穿效应 §5.3 导体、绝缘体和半导体的能带论解释 —— 问题的提出 导体的电阻率 半导体的电阻率 绝缘体的电阻率 —— 所有固体都包含大量的电子，但电子的导电性却相差非常大 1. 满带中的电子对导电的贡献 电子能量是波矢的偶函数 —— 状态和 状态中电子的速度大小相等、方向相反 波矢为 的电子的速度 波矢为 的电子的速度 1) 在无外场时 每个电子产生的电流 —— 对电流的贡献相互抵消 热平衡状态下，电子占据波矢为 的状态和占据波矢为 的状态的几率相等 —— 晶体中的满带在无 外场时，不产生电流 —— 状态和 状态中电子的速度大小相等、方向相反 2) 在有外场 作用时 电子受到的作用力 电子动量的变化 —— 所有电子状态以相同的速度沿着电场的反方向运动 ——满带的情形中，电子的运动不改变布里渊区中电子的分布, 满带中的电子不产生宏观的电流 A’状态与A状态为同一状态。 2. 半满带中的电子对导电的贡献 1) 无外场存在时 —— 虽然只有部分状态被电子填充，但波矢为 的状态和波矢为 的状态中电子的速度大小相等、方向相反，对电流的贡献相互抵消 —— 热平衡状态下，电子占据两个状态的几率相等 —— 晶体中的半满带在无外场作用时，不产生电流 2) 在有外场作用时 ——半满带中只有部分状态被电子填充，外场的作用会 使布里渊区的状态分布发生变化 —— 所有的电子状态以相同的速度沿着电场的反方向运动，但由于能带是不满带，逆电场方向上运动的电子较多 —— 在外场作用下，半满带中的电子产生电流 导体、半导体、绝缘体模型 导带—部分被电子填充的能带，对导电起作用。 价带—缺少了电子的满带，从而导致一定的导电性。 绝缘体 —— 原子中的电子是满壳层分布的，价电子刚好填满了许可的能带，形成满带，导带和价带之间存在一个很宽的禁带，在一般情况下，价带之上的能带没有电子 导体 —— 在一系列能带中除了电子填充满的能带以外，还有部分被电子填充的能带 — 导带，后者起着导电作用 —— 在电场的作用下没有电流产生 半导体(Si：14、Ge：32)：禁带宽度较窄，约~2 eV以下 —— 依靠热激发即可以将满带中的电子激发到导带中，因而具有导电能力 3. 价带和空穴 价带 —— 满带中的少数电子受热或光激发从满带跃迁到空带中去，使原来的满带变为近满带 设想近满带中只有一个 态没有电子 在电场的作用下，近满带产生的电流为近满带中所有电子对电流的贡献，总电流 如果在空的 中放入一个电子，近满带变为满带，总的电流为零 空穴 —— 描述价带的导电性 价带的总电流相当于一个带正电q的粒子，在空状态 中速度 所引起的 当满带顶附近有空状态 时，整个能带中的电流以及电流在外电场中的变化相当于一个带正电q，具有正质量?m*?、速度 的粒子， 这样一个假想的粒子 —— 空穴 固体中导带底部少量电子引起的导电 —— 电子导电性 固体