0.5 μw sub-threshold operational transconductance amplifiers using 0.15 μm fully depleted silicon-on-insulator (fdsoi) process0.5μw亚阈值运算跨导放大器使用0.15μm完全耗尽的绝缘体(fdsoi)的过程.pdfVIP

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2017-09-07 发布于上海
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0.5 μw sub-threshold operational transconductance amplifiers using 0.15 μm fully depleted silicon-on-insulator (fdsoi) process0.5μw亚阈值运算跨导放大器使用0.15μm完全耗尽的绝缘体(fdsoi)的过程.pdf

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0.5 μw sub-threshold operational transconductance amplifiers using 0.15 μm fully depleted silicon-on-insulator (fdsoi) process0.5μw亚阈值运算跨导放大器使用0.15μm完全耗尽的绝缘体(fdsoi)的过程

J. Low Power Electron. Appl. 2012, 2, 155-167; doi:10.3390/jlpea2020155 OPEN ACCESS Journal of Low Power Electronics and Applications ISSN 2079-9268 /journal/jlpea/ Article 0.5 µW Sub-Threshold Operational Transconductance Amplifiers Using 0.15 µm Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FDSOI) Process 1 2 2 3 Piotr Olejarz , Kyoungchul Park , Samuel MacNaughton , Mehmet R. Dokmeci and Sameer Sonkusale 2,* 1 Electrical and Computer Engineering, Northeastern University, Boston, MA 02155, USA; E-Mail: olejarz.p@ 2 NanoLab, Electrical and Computer Engineering, Tufts University, Medford, MA 02155, USA; E-Mails: kyoungchul.park@ (K.P.); samuel.macnaughton@ (S.M.) 3 Center for Biomedical Engineering, Department of Medicine, Brigham and Women’s Hospital, Harvard Medical School, Boston, MA 02115, USA; E-Mail: mdokmeci@ * Author to whom correspondence should be addressed; E-Mail: Sameer.Sonkusale@; Tel.: +1-617-627-5113; Fax: +1-617-627-3220. Received: 15 March 2012; in revised form: 8 May 2012 / Accepted: 8 May 2012 / Published: 18 May 2012 Abstract: We present a low voltage, low power operational transconductance amplifier (OTA) designed using a Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FDSOI) process. For very low voltage application do