电填空题.docx

1．二进制数（1011.1001）2转换为八进制数为13.41，转换为十六进为B9。2．数字电路按照是否具有记忆功能通常可分为两类：组合逻辑电路、时序逻辑电路。3．已知逻辑函数F＝A⊕B，它的与非-与非表达式为，或与非表达式为。4．5个变量可构成32个最小项，变量的每一种取值可使1个最小项的值为1。5．555定时器构成的施密特触发器，若电源电压VCC＝12V，电压控制端经0.01μF电容接地，则上触发电平UT+＝8V，下触发电平UT–＝4V。6．逻辑函数的两种标准形式分别为7．将2004个“1”异或起来得到的结果是 0 8．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是地址译码器、存储矩阵、输出缓冲器9．8位D/A转换器当输入数字5v。若只有最低位为高电平，则输出电压为（0.039）v；当输入则输出电压为（5.31）v。10．就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（双积分型）的抗干扰能力强，（逐次逼近型）的转换速度快。11．由555定时器构成的三种电路中，（施密特触发器）和（单稳态触发器）是脉冲的整形电路。12．与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（结构控制字）进行编程设定其（输出逻辑宏单元）的工作模式来实现的，而且由于采用了（E2CMOS）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。13．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是真值表、逻辑图、逻辑表达式、卡诺图。14．将2004个“1”异或起来得到的结果是0 。15．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL）电路和（CMOS）电路。16．施密特触发器有（两）个稳定状态.，多谐振荡器有（0）个稳定状态。17．已知Intel2114是1K* 4位的RAM集成电路芯片，它有地址线（10）条，数据线（4）条。18．已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz，则A/D转换器的采样频率应高于（20）kHz；完成一次转换所用的时间应小于（50μS）。19．GAL器件的全称是（通用阵列逻辑），与PAL相比，它的输出电路是通过编程设定其（输出逻辑宏单元）的工作模式来实现的，而且由于采用了（E2CMOS）的工艺结构，可以重复编程，使用更为方便灵活。1. TTL门电路输出高电平为3.4 V，阈值电压为1.4 V；2. 触发器按动作特点可分为基本型、同步型、主从型和边沿型；3. 组合逻辑电路产生竞争冒险的内因是 逻辑器件的传输延时 ；4. 三位二进制减法计数器的初始状态为101，四个CP脉冲后它的状态为001；5. 如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用积分型单稳态触发器；6. RAM的扩展可分为字扩展、位扩展扩展两种；7. PAL是与阵列可编程，EPROM是或阵列可编程；8. GAL中的OLMC可组态为专用输入、组合输出、寄存反馈输出等几种工作模式；9. 四位DAC的最大输出电压为5V，当输入数据为0101时，它的输出电压为5/3 V；10. 如果一个3位ADC输入电压的最大值为1V，采用“四舍五入”量化法，则它的量化阶距为2/15 V。1. 如图1所示，A=0时，Y＝0；A=1，B=0时，Y＝1；2. ，Y的最简与或式为；3. 如图2所示为TTL的TSL门电路，EN=0时，Y为高阻态，EN=1时，；4. 触发器按逻辑功能可分为RSF、JKF、TF 、T’F和DF；5. 四位二进制减法计数器的初始状态为0011，四个CP脉冲后它的状态为1111 ；6. EPROM2864的有13个地址输入端，有8个数据输出端；7. 数字系统按组成方式可分为功能扩展电路、功能综合电路两种；8. GAL是与阵列可编程，GAL中的OLMC称输出逻辑宏单元；9. 四位DAC的最大输出电压为5V，当输入数据为0101时，它的输出电压为5/3V；10. 某3位ADC输入电压的最大值为1V，采用“取整量化法”时它的量化阶距为1/8V。1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（0）。3．由555定时器构成的三种电路中，（施密特触发器）和（单稳态触发器）是脉冲的整形电路。4．TTL器件输入脚悬空相当于输入（高）电平。5．基本逻辑运算有: （与）、（或）和（非）运算。6．采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（最高）位。7．触发器按动作特点可分为基本型、（同步型）、（主从型）和边沿型；8．如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用（积分型单稳态）触发器9．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL）电路和（CMOS）电路。10．施密特触发器有（两）个稳定状态.，多谐振荡器有（0）个稳定状态。11．数字系统按组成方式