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半导体物理基础(Elementary Semiconductor Physics) （2） Crystal structure 3 Energy Band Theory 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.3 Carrier concentration and EF Calculations 例题 1 载流子浓度 2 . 4 简并半导体（degenrrated semiconductor） 对于简并半导体,导带底部的量子态基本被电子占满.电子分 布函数不再能近似为玻尔兹曼分布函数了,而要用费米分布描述 费米积分 P 76 当掺杂浓度很高时,会使 EF接近或进入了导带.—半导体简并化了. EC-EF2k0T 非简并 2 简并化条件 0EC-EF 2k0T 弱简并 EC-EF0 简并 3 杂质带导电 在重掺杂的简并半导体中,杂质浓度很高.杂质原子相互 靠近,被杂质原子束缚的电子的波函数显著重叠,这时电子作 共有化运动.那么,杂质能级扩展为杂质能带. 杂质能带中的电子,可以通过杂质原子间共有化运动参加导电---杂质带导电. 本征半导体: 是指一块没有杂质和缺陷的半导体. 本征激发: T0K时,电子从价带激发到导带,同时价