氮化镓和碳化硅的应用.docVIP

氮化镓和碳化硅在高频率电源开关中的应用 前言 对于宽带隙（宽禁带）材料和设备的研究工作已经持续许多年了，这些材料的特性令设计者非常满意，因为宽的带隙设备显著的性能改善超过了以硅为基础的其他材料。他们在高温度下、高功率密度下、高电压下和高频率下运转的能力，使他们在未来的电子系统中的使用非常令人关注。对未来的开关和高频功率应用方面大有前途的两种非常重要的宽带隙材料就是氮化镓和碳化硅。关于氮化镓与碳化硅材料，半导体器件是否可能而且这种设备/材料是否最适合各种开关和高频功率的应用的问题有大量的正在进行的讨论和质疑。本论文总结了我们对于目前发展现状的理解以及这些技术的领先之处。材料特性、设备结构和成本都是重要的和相互关联的。最终，我们相信碳化硅和氮化镓两种材料都将扮演着重要角色而且都将融入各自的商业市场。 材料属性 作为宽带隙材料的表征是一个电子从价带顶部跳到半导体导带底部所适合的能量。需要能量通常大于一个或两个电子伏特的材料被称为宽带隙材料。碳化硅和氮化镓半导体通常也被称为化合物半导体，因为他们是由选自周期表中的多个元素组成的。下表比较了硅(Si)、碳化硅(SiC-4H1)和氮化镓(GaN) 材料的性能。这些材料的属性对电子器件的基本性能特点产生重大影响。 对于射频和开关电源设备而言，碳化硅和氮化镓两种材料的性能都优于单质硅的。碳化硅和氮化镓相比单质硅的一个更优的属性是，他们的高临界场允许