氮化镓和碳化硅的应用.docVIP

氮化镓和碳化硅在高频率电源开关中的应用 前言 对于宽带隙（宽禁带）材料和设备的研究工作已经持续许多年了，这些材料的特性令设计者非常满意，因为宽的带隙设备显著的性能改善超过了以硅为基础的其他材料。他们在高温度下、高功率密度下、高电压下和高频率下运转的能力，使他们在未来的电子系统中的使用非常令人关注。对未来的开关和高频功率应用方面大有前途的两种非常重要的宽带隙材料就是氮化镓和碳化硅。关于氮化镓与碳化硅材料，半导体器件是否可能而且这种设备/材料是否最适合各种开关和高频功率的应用的问题有大量的正在进行的讨论和质疑。本论文总结了我们对于目前发展现状的理解以及这些技术的领先之处。材料特性、设备结构和成本都是重要的和相互关联的。最终，我们相信碳化硅和氮化镓两种材料都将扮演着重要角色而且都将融入各自的商业市场。 材料属性 作为宽带隙材料的表征是一个电子从价带顶部跳到半导体导带底部所适合的能量。需要能量通常大于一个或两个电子伏特的材料被称为宽带隙材料。碳化硅和氮化镓半导体通常也被称为化合物半导体，因为他们是由选自周期表中的多个元素组成的。下表比较了硅(Si)、碳化硅(SiC-4H1)和氮化镓(GaN) 材料的性能。这些材料的属性对电子器件的基本性能特点产生重大影响。 对于射频和开关电源设备而言，碳化硅和氮化镓两种材料的性能都优于单质硅的。碳化硅和氮化镓相比单质硅的一个更优的属性是，他们的高临界场允许这些器件能在更高的电压和更低的漏电流中操作。高电子迁移率和电子饱和速度允许更高的工作频率。然而SiC电子迁移率高于Si， GaN的电子迁移率又高于SiC，这意味着氮化镓应该最终成为极高频率的最佳设备材料。 高导热系数意味着材料在更有效地传导热量方面占优势。SiC比GaN和Si具有更高的热导率，意味着碳化硅器件比氮化镓或硅从理论上可以在更高的功率密度下操作。当高功率是一个关键的理想设备特点时，高导热系数结合宽带隙、高临界场的碳化硅半导体具有一定优势。氮化镓相对较差的导热性，使系统设计人员处理氮化镓器件的热量管理面临一个挑战。 材料属性 硅（Si） 碳化硅（SiC） 氮化镓（GaN） 带隙(eV) 1.1 3.2 3.4 临界场106 V/cm 0.3 3 3.5 电子迁移率(cm2/V-sec) 1450 900 2000 电子饱和速度(106 cm/sec) 10 22 25 导热系数(Watts/cm2 K) 1.5 5 1.3 表一：材料属性 材料质量 碳化硅和氮化镓的材质，在过去几年已经进行了实质性的改善。我们的经验是，碳化硅比氮化镓更进一步，因为氮化镓基板只能被制造到直径2英寸。无论何种情况下，对于开关和高频功率应用的设备研究兴趣点是，需要将碳化硅或氮化镓的外延层生长或沉积在由相同(均相外延)或不同 (异质外延) 的材料组成的衬底上。 同质外延的碳化硅器件在制造方面某种程度上类似于单质硅，因为在碳化硅衬底上要形成碳化硅外延层（图一）。其结果是在外延层和衬底之间具有良好的晶体匹配，并且有一个导电和导热路径从顶部到晶片的底部。这就具备了在设备结构以及成本上可以制造的意义。现在有许多制造碳化硅衬底和外延晶片的公司。Cree公司历来占据优势地位，但是其他公司都在材料质量以及同样重要的成本方面非常迅速与之缩小差距。 图一：垂直的双扩散半导体场效应晶体管 图二：使用氮化镓与过渡层材料，硅或碳化硅作为衬底，去匹配晶格的横向晶体管 适应晶体差异的常用方法是通过使用一个缓冲层（图三）。氮化铝(AlN)是一种被使用的材料，他提供了良好的材料匹配，但是他的电绝缘影响了可以制造的设备结构的类型。创建缓冲层也增加了成本和工艺的复杂性。此外，为了不影响设备性能、生产量和可靠性，这些缓冲层结合非原生基质的使用导致的缺陷和固有应力需要被克服。 图三：氮化镓和所需的缓冲层的横截面 对于同质外延的碳化硅，国家最先进的晶圆直径是3到4英寸，而对于在碳化硅或单质硅晶圆上的异质外延的氮化镓是3英寸。在成本方面，在SiC晶片上的GaN成本超过在SiC晶片上的SiC的同行的成本约20%。从设备制造业的观点出发，在SiC或Si晶片上的GaN的缺陷要高于在SiC晶片上的SiC的同行。这是一个重要的考虑因素，因为不同于简单的二极管或发光二极管，电力设备对于缺陷非常敏感。此外，在Si晶片上的GaN在外延界面具有2比1差异的(图四)热膨胀系数（CTE），在功率循环过程中是的一个问题（为何材料的附加层必需机械地发出设备声音的另一个原因）。Si晶片上的GaN承诺要比在SiC晶片上的SiC或GaN大幅的降低成本，导致了当前对这种组合的大量兴趣。主要问题是该设备结构，生产量，电气和热性能，可靠性和整体成本系统的效益能推翻目前使用的硅器件吗？ 基质 氮化镓 硅 111 蓝宝石晶体 Al2