BiFeO-%2c3-薄膜及器件的制备及性能的分析研究.pdfVIP

BiFeO-%2c3-薄膜及器件的制备及性能的分析研究.pdf

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摘 要 摘 要 多铁性材料是指同一相中同时具有铁电、铁磁、铁弹性的两种或两种以上的 含“铁特性的材料。由于这种材料中的磁电耦合效应(能够由电场诱发磁极化 或者由磁场诱发电极化)的存在,使它在电子器件等方面具有极其广阔的应用前 景,引起了人们的广泛关注。在众多的多铁性材料当中,BiFe03(BFO)是最为 特殊的一个,它是迄今为止唯一一个磁有序温度和铁电居里温度均在室温以上的 多铁性材料,因此BiFe03从发现开始就受到了人们广泛的关注与研究。但是 BiFe03块材和薄膜研究中都存在一个问题:由于Bi具有挥发性,合成时必须同 时考虑热力学和动力学上的平衡,因此很难获得纯相的BiFe03。对BiFe03生长 条件的控制成为一个很有挑战的工作。在多铁性材料的应用中,最具有吸引力的 是多态存贮器件。然而由于BiFe03中较大的漏电流水平,早期的研究发现很难 在BiFe03中到得饱和的电滞回线,这极大的限制了BiFe03可能的应用。另一方 面从电子线路的应用上来说,高质量的外延铁电异质结也是非常需要的。本文中, 我们主要针对这几个方面进行了研究与探讨。 本论文中采用脉冲激光方法制各薄膜,使用导电氧化物作为电极,成功制备 了BiFe03铁电电容器。通过改变温度与氧压,制备了一系列样品,研究了温度 以及氧压对BiFe03铁电电容器结构、铁电以及漏电流的影响,结果显示700℃ 以下随着温度的升高,薄膜的单向性越来越好;温度保持680℃不变时,氧压越 低薄膜的单向性越好;铁电性和漏电流测量显示出在680℃、7Pa时制备的薄膜 电滞回线趋于饱和,而且此时电容垂具有最小的漏电流:我们进一步研究了 BiFe03铁电电容器中这种漏电流的机青4。同时我们制备了几种BiFe03基异质结, 研究了他们的电流电压特性,各异质结都显示出一定的整流效应,并且不同方向 测量时整流曲线有所偏移,我们认为这跟BiFe03薄膜的铁电性相关;最后我们 容器的铁电和漏电性能,结果显示,Mn掺杂极大的减小了BiFe03薄膜的漏电流, 因此使BiFe03可测量的铁电性能明显改善。 本文分为四章 第一章本章我们回顾了单相多铁材料的发展历史,对多铁性材料的结构进 行了分类。详细介绍了铁电和反铁磁共存BiFe03的结构特点,叙述了BiFe03铁 电性的起源以及其复杂的磁结构,并进一步给出了BiFe03中磁电相互作用的图 摘要 像。讨论了BiFe03的生长问题,介绍了各种常用的生长BiFe03陶瓷以及薄膜的 方法。提出了BiFe03研究串的一些闯题,并参考相关文献给出了一个可能的解 决方法。 第二章本章我们研究了制备条件(温度和氧压)对BiFe03薄膜结构、铁 电性能以及漏电流的影响。我们利用激光脉冲沉积技术,选取 的Lao BiFe03薄膜电容器。结构表征表明,700C以下温度越高薄膜的单向性越来越好; 温度保持不变时,氧压越低薄膜的单向性越好。电滞回线只能在700℃、680℃、 得到,但是只有在680℃,7Pa酶条件下生长的样品显示出饱和的毫滞墨线。相瓣 于其他样品,该样品具有最小的漏电流密度,分析表明此时漏电流遵循 之间为BiFe03薄膜最适合的制备条件。 第三章 本章我们研究了BiFe03基铁电异质结。我们分别剩焉P型的 所有的异质结都显示出了一定的整流效应,并且整流曲线随着测量方向的不同会 有所偏移,我们认为这是由于BiFe03中铁电极化的翻转造成的。从铁电角度对 BFO/NSTO异质结进行的分析与能带分析给出的结果非常接近,说甓了铁营睦 对异质结的影响。对于BFO/LNO p-p结,我们认为整流效应的结果来源于 BFO脒0的赛面势垒。 第四章本章我们研究了掺杂改性对BiFe03薄膜性能的影响。我f『j利用脉冲 激光沉积技术在(LaAl03)03(Sr2A1Ta06)o.7(oo1)衬底上生长了BiFel.。Mnx03 (X=0。5%)外延薄膜,研究了№掺杂对BiFe03薄膜结构、铁电特性和漏电流的影 赡。X如帮SEM结果表明薄膜具有良好的结鑫质量。漏电流测量显示Mn掺杂有 够获得饱和的电滞回线。XPS分析证锈,Mn掺杂改善BiFe03薄膜性能的可能原 因在于其极大地减少TBiFe03薄膜中的Fe2+离子。 关键字: 铁酸铋多铁异质结 电容器铁电Mn掺杂

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