半导体CuXTe2(X%3dGa%2cIn)和ZnGa2X4(X%3dS%2cSe)第一性原理分析研究.pdfVIP

Shanxi University Dissertationfor2009Master Degree First CuXTe2(X=G =S，Se) Mi Name Shu Associate Xiao—Shu Supervisor Prof．Jiang Theoretical Major Physics Condensed FieldofResearch Matter Physics InstituteofTheoretical Department Physics ResearchDuration2006．9--2009．6 Shanxi University May,2009 万方数据 目录 |IIIII IIII IIIIIIII I IIl Y2681238 目 录 前言……………………………………………………．1 第一章基本理论计算方法和ABINIT程序包简介………．．…………3 1．1 1．2 1．3密度泛函理论……………………………………．…．6 1．3．1 1．3．2 Kohn—Sham定理……………………………………．7 1-3．3局域密度近似(LDA)…………………………………．8 1．3．4广义梯度近似(GGA)……………………．．．…………．9 1．4平面波赝势法…………．……………………………10 1．4．1模守恒赝势……………………………………．…11 1．5ABINIT程序包简介…………………………………．．12 引言………………………………………………．．．．14 2．1主要参数确定………………………………………．14 2．2理论模型和计算方法…………………………………．18 2．3计算结果与讨论…………………………．．…．……．．19 2．4小结……………………………………………．．．24 引言…………………………………………………．25 3．1理论模型和计算方法…………．……………………．．．25 3．2计算结果与讨论……………………………………．．26 3．3小结…………………………．…………………．．30 总结与展望…………………………………………．…．3l 参考文献………………………………