CVDZnSe制备工艺分析研究.pdfVIP

摘 要 5um～20“m)、透过率高等优势，是性能优异的长波红外 CVDZnSe具有透射波段宽(0 光学窗口材料，在代表未来武器发展方向的多光谱系统中占有举足轻重的作用。 本课题(大尺寸多晶CVDZnSe研制)受总装预研局定向发布而立项研究，对于我国打破 国外封锁，实现国防武器现代化具有重大意义。 文章对用化学气相沉积法制各多晶ZnSe的热动力学原理、设备、工艺进行了系统的分 析研究。 沉积动力学方面结合Spear的六步沉积理论(1、反应气体向沉积区的传输：2、反应 气体由主气流通过浓度边界层向基体表面扩散；3、反应气体在基体表面的吸附与解析；4、 吸附反应物之间发生反应形成沉积产物；j、沉积物的形核与生长；6、反应副产物从积沉 表面的解析及向主气流中扩散)对ZnSe沉积过程进行了论述，从理论上分析了沉积条件对 沉积速率、均匀性及质量的影响。 沉积发生在立方沉积室的内表面，温度控制在700。C～780。C之间，压力为减压控制 的反应气等尾气经过滤系统滤掉粉末后在排入大气之前还要通过尾气处理系统来去除其中 的剧毒气体H：Se。 设各方面重点讨论了水冷喷咀、过滤系统、有毒尾气处理系统的设计以及衬底材料的 选择等关键技术。 喷咀是沉积设备的关键，要保证从各自喷咀中喷射的反应气呈近似的平行的关系以确 保通畅，防止由于在近距离内发生成份掺混造成喷咀堵塞；同时Hzse气体分解温度低(160 ℃)，其喷咀需加装水冷套以保证其在进入沉积室之前不发生分解。另外在考虑H：Se气体 在进入沉积室之前的低温的同时还要兼顾zn蒸气的高温(H。Se水冷喷咀会造成zn蒸气在 上升进入沉积室的途中过冷，进而影响Zn蒸气的输运)。在结构上要尽量缩小两喷咀接触 面积和距离，另外还需在两喷咀之间添加隔热材料来进一步减少相互间的影响。以上工作 成功的解决了化学气相沉积中的关键问题，具有创新性。 除尘过滤系统对防止卡泵保证气流通畅具有重要意义。根据粉尘颗粒粒径及粘度的不 同采用了丝网、过滤布和活性碳相结合的复合过滤系统，保证了实验的长期稳定的运行。 实验采用与ZnSe热膨胀系数相近，且稳定性好，易于加工的石墨作为衬底材料；同时 I 针对石墨表面致密度不高与沉积产物难于分离的现象通过使用过渡层的方法进行表面处 理，有效的封闭了石墨衬底表面毛细孔，降低了分离的工作量并保障了沉积产物和衬底的 完整性。 H：se是剧毒气体(安全极限0．05ppm)，对尾气中的H：se气体在排入大气之前必须通过 和氧化(HzO。+Se。一Se十20H一)生成无毒的单质硒。 工艺方面主要研究了沉积参数(温度、压力)、沉积室气体流形对生长均匀性和生长速 率的影响；同时对生长过程中出现的球状生长、粉末以及拱起现象进行了分析，提出了解 决方案。最后还对制备的ZnSe样品的光学性能进行了分析。 实验在减压(300Pa～800Pa)条件下进行，随着压力的降低生长均匀性提高。 沉积温度限在输运限制区(700。C～780℃)，在此区间内温度对生长速率的影响不大， 约在10um／h左右。 输运限制区内沉积室气体流型成为主要影响因素，为增大扰动促进紊流的形成，可在 沉积室内添加起促进作用的吊板。其高度及尺寸直接影响生长的质量，对此进行了比较分 析。 球状生长阻碍晶体生长，影响性能且加大光学加工量应尽力避免。在不牺牲生长速率 的前提下降低反应温度可显著改善球状生长的状况。 在足够高的反应浓度及温度下空间形核加剧，产生的粉末严重影响沉积产物质量及生 长均匀性是非常有害的。通过适当降低沉积温度以及加大空间气流流动稳定性均匀性加以 解决。 晶体与衬底分离并向上拱起造成材料的浪费且加大加工难度。生长应力、产物中的气 体(}k)被包裹在晶体衬底之间以及沉积产物与衬底热膨胀系数不同是可能的原因。可根 据各自不同的成因分别采用先高温沉积再降至正常沉积温度；加大气流速率：恒温后通入 反应气，沉积完成后缓慢降温等方法加以解决。 论文的最后在对实验样品进行光学透过率分析的基础上与理论值进行了对比，证实通 过上述方法制各的CVDZnSe达到了CVD工艺高致密度、高均匀性以及高纯度的特点。 关键词：化学气相沉积，ZnSe，光学