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随着信息技术的高速发展,在信息存储的存取、记录和处理方面都提出了更
高的要求。半导技术和集成工艺的突飞猛进的发展,信息存储和信息处理需要高
密度记录和快速读写材料,这促使材料物理学家不断地去发掘和探索新型功能材
料来满足这种需要。
1988年,Baihichl[l]等人在用分子束外延方法制备的Fe/c:多层膜中发现了巨
磁阻效应,可以广泛地应用于信息存储和信息处理的各个方面。1994年,Jin等
[2]发现,具有钙钦矿结构的锰氧化物薄膜具有远高于Fe/cr性性质[3-8]和压电铁
电件[9-10]等特性,并且在庞磁电阻[11-l2]、磁制冷[l3-16]和热控等领域具有巨大的应
用价值,引起了人们越来越多的注意和兴趣。
以以La1-xSrxMnO3为代表的此类锰氧化物的许多特性,如金属一半导体相变及
电磁输运性质,在很大程度上和材料的晶体结构及微结构联系在一起。本章系统
地介绍具有钙钛矿结构的锰氧化物的结构特点和近年来这类材料在这方面的主
要研究进展。
1.1研究背景
钙钦矿结构稀土锰氧化物涉及到电子强关联系统、多体系统、绝缘体一金属
转变等许多凝聚态物理的基本问题,包含多种相互作用的竞争,出现了包括庞磁
电阻(CMR)效应在内的各种奇特物理现象。由于锰氧化物材料的这些特点,
使得这种材料也有较高的实用价值。
近年来,钙钦矿结构稀土锰氧化物的应用研究主要集中在庞磁阻效应[l7-19]。
2007年Nobel物理学奖授予发现巨磁阻效应并对该现象做了正确的解释Fert
和Gr位nberg[20]两人,这更加刺激了人们对庞磁阻效应的应用和机理的研究。这
主要是因为这类材料可以满足高速发展的信息技术对高密度存储和高灵敏度磁
传感器的需求。
研究发现钙钦矿稀土锰氧化物的微结构在很大程度上影响了材料的电磁输
运性质[21-24],因此对钙钦矿稀土锰氧化物的微结构研究不仅对理解电子强关联体
系中的凝聚态物理基本问题具有重要意义,还有重要的实用价值。
第三章 溶胶凝胶方法制备La1-xSrxMnO3材料
La1-xSrxMnO3材料可以通过多种方法制备,目前块材主要采用区熔方法生长
单晶以及采用固相反应来制备多晶样品。薄膜材料主要的制备方法有脉冲激光沉
积、金属有机物化学气相沉积法、溅射法(包括射频磁控溅射和离子束溅射)、
溶液化学方法(包括溶胶凝胶法和金属有机物分解法)和分子束外延等方法。这
些方法中,每种方法都有自身的特点。溶胶凝胶方法相对于其他方法,具有制备
流程简单、成本较低等特点,特别对于薄膜材料,采用溶胶凝胶方法制备,能够
与现在的半导体集成工艺相兼容。
本章我们采用溶胶凝胶方法制备了La1-xSrxMnO3块材和薄膜材料,并通过X
射线衍射、热重差热、X射线能量色散谱等方法研究了制备工艺参数对材料化学
成分、结构的影响。
3.1 La1-xSrxMnO3块材的制备
3.1.1 La1-xSrxMnO3块材主要的制备方法
目前,钙钦矿锰氧化物块材制备主要有利用生长单晶的方法来得到单晶样品
以及利用固相反应的方法来制备多晶样品。
固相反应的方法又分为传统的陶瓷制备工艺和溶胶凝胶法。传统的陶瓷制备
工艺从所需金属的氧化物开始,将它们按比例称好后,用球磨的方法将它们粉碎,
并且混合均匀,然后将其压制为一定的形状。然后在较高的温度下烧结十几个小
时左右以完成初步的固相反应[l]。然后将其研磨粉碎后再均匀混合,压制成一
定的形状,最后在高温下(习100℃)烧结,如果材料的纯度不够好的话,需要重
复研磨粉碎烧结这一步骤。
可见传统的固相反应需要的温度较高,而且整个烧结时间很长,有时候会持
续数周时间。
3.1.2溶胶凝胶方法制备La1-xSrxMnO3块材
溶胶凝胶法是近十几年来人们发展的一种重要的制备纳米材料的方法。溶胶
凝胶法制备的材料,因具有成分均匀,反应过程简单,烧结温度低等优势而倍受
人们关注[2-3]。La1-xSrxMnO3材料多是利用金属盐类来当作其起始的原料,如醋酸
盐[4-5]或者是硝酸盐[6-7]等。此外,为了溶胶的性能得到改善,添加聚丙烯酸
印[poly(acrylic acid),PAA][8]、聚乙烯醇印[poly(vinyl alcohol),PVA][9]等高分子聚合物,
可以形成良好网状结构,有利于样品的烧结,特别是形成致密完整的薄膜材料。
3.1.2.1溶胶凝胶法的基本原理和特点
60年代中期,Lackey[10]等人用溶胶一凝胶法成功地制备核燃料,如UoZ、TnO2
氧化物球形颗粒,此后该法又被用来制备含铝、钦、错等的氧化物陶瓷粉料。随
后溶胶一凝胶法的理论和技术日趋完善。
胶体是一种分散相粒径很小的分散体系,分散相粒子的重力可以忽略,粒子
之间的相互作用主要是短程作用力。溶胶是具有液体特征的胶体体系,
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