【2017年整理】用于10Gb_s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源.pdfVIP

第 55 卷 第 3 期 2006 年 3 月 物 　理 　学 　报 Vol. 55 ,No. 3 ,March ,2006 ( ) 10003290200655 03 125905 ACTA PHYSICA SINICA 2006 Chin. Phys. Soc. 用于 10 Gbs 传输系统的电吸收调制器与 分布反馈激光器集成光源 赵 　谦 　潘教青 　张 　靖 　李宝霞 　周 　帆 　王宝军 　王鲁峰 　边 　静 　赵玲娟 　王 　圩 ( 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心, 北京　100083) ( ) 2005 年 7 月 22 日收到;2005 年 8 月 17 日收到修改稿 ( 2 ) ( ) ( 　　采用超低压 22 ×10 Pa 选择区域生长 selective area growth , SAG 金属有机化学气相沉积 metalorganic chemical ) ( ) vapor deposition , MOCVD 技术成功制备了应变型 InGaAsPInGaAsP 电吸收调制器 electroabsorption modulator , EAM 与 ( ) 分布反馈激光器 distribute feedback laser , DFB 单片集成光源的新型光电器件. 实验结果表明 ,采用该技术制备的集 ( ) 成器件表现出了良好的性能 :激射阈值为 19 mA ,出光功率接近7 mW ,边模抑制比 sidemode suppression ratio , SMSR 大于 40 dB ,将该集成器件出射光耦合进普通单模光纤后进行测量 ,获得了 16 dB 的消光比 ,器件 3 dB 响应带宽达 ( ) 到了 10 GHz 以上. 将该集成器件完全封装后成功进行了 10 Gbs 非归零码 nonreturn zero , NRZ 的传输实验:在误码 率为 10- 10 的传输条件下于普通单模光纤中传输了53. 3 km ,色散代价小于 1. 5 dB ,动态消光比大于 8 dB ,且眼图清 晰张开. 关键词 : 超低压 , 选择区域生长 , 集成光电子器件 , 10 Gbs PACC : 4282 , 7280E , 8115H 的自由度. EAM 的器件性能对入射波长与吸收带边 1 引 言 之间的能量偏调量十分敏感 ,采用该方法可以通过 合理设计介质膜掩蔽图形的尺寸精确控制 DFB 与