微电子习题答案(第3单元).doc

第三单元 习题 比较APCVD、LPCVD和PECVD三种方法的主要异同？主要优缺点？ 答： 从三种方法的工艺原理上看，APCVD、LPCVD是热激活并维持化学反应发生，而PECVD是采用电能将反应气体等离子化从而热激活并维持化学反应发生的。 APCVD工艺温度一般控制在气相质量输运限制区，采用冷壁式反应器，在薄膜淀积过程中应精确控制反应剂成分、计量和气相质量输运过程。主要缺点是有气相反应形成的颗粒物。 LPCVD工艺温度一般控制在表面反应限制区，对反应剂浓度的均匀性要求不是非常严格，对温度要求严格。因此多采用热壁式反应器，衬底垂直放置，装载量大，更适合大批量生产，气体用量少，功耗低，降低了生产成本。颗粒污染现象也好于APCVD。 PECVD工艺是典型的表面反应速率控制淀积方法，需要精确控制衬底温度。最大特点是工艺温度较低，所淀积薄膜的台阶覆盖性、附着性也好于APCVD和PECVD。但薄膜一般含有氢等气体副产物，质地较疏松，密度低。 有一特定LPCVD工艺，在700℃下受表面反应速率限制，激活能为2eV，在此温度下淀积速率为100nm/min。试问800℃时的淀积速率是多少?如果实测800℃的淀积速率值远低于所预期的计算值，可以得出什么结论？可以用什么方法证明？ 已知，薄膜淀积速率由表面反应控制时，有：，1/k=5040K/eV 由，＝2eV, kT1=5.18 eV-1, 1/kT2=4.70 eV-1 得800℃时的淀积速率是（nm/min） 如果实测值远低于所预期的计算值，受表面反应速率限制限制℃范围内出现淀积速率表面反应速率限制限制限制LPCVD淀积，再测淀积速率，如果和800℃时的淀积速率接近，就表明上述分析是正确的。 薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？PECVD氮化硅薄膜KOH水溶液中的腐蚀腐蚀KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜℃，20min，即LPCVD氮化硅 标准的卧式LPCVD的反应器是热壁式的炉管，衬底硅片被竖立装在炉管的石英舟上，反应气体从炉管前端进入后端抽出，从炉管前端到后端各硅片淀积薄膜的生长速率会降低，那么每个硅片边缘到中心淀积薄膜的生长速率将怎样?如何改善硅片之间和硅片内薄膜厚度的均匀性?每个硅片边缘到中心淀积薄膜的生长速率可通过提高温度消着气流方向薄膜的生长速率即沿着气流方向提高。速度也能气缺效应带来的问题。气缺效应 等离子体是如何产生的？PECVD是如何利用等离子体的？PECVD是采用等离子技术把电能耦合到气体中，激活并维持化学反应进行淀积薄膜的工艺方法。利用提高化学反应速度，进而反应对温度的较低温度下SiO2作为保护膜时为什么需要采用低温工艺?目前低温SiO2工艺有哪些方法?它们降低制备温度的原理是什么？保护膜目前SiO2低温工艺气体、等离子技术电能耦合到气体中，气体比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小？解释不同的原因。多晶硅电阻率陷入晶中对电导不起作用。晶界上的电荷积累造成晶粒边界周围形成耗尽区域，使能带畸变，产生势垒降低有效迁移率制备中等浓度n型多晶硅通常采用什么工艺方法？通常 PEVCD法为何能在较低温度淀积氮化硅薄膜。 磁控溅射主要有哪几种？特点是什么？磁控溅射 一个抽速为2000 L/min的工艺泵，不受进口处的压力影响，泵由10m长、直径为5cm的管道与真空室连接。如果预期的真空室压力为1.0Torr，用标准的升每分钟单位来计算最大的流腔体的气体流量(提示：Q=P?S)2000 L/min，P2=1.0Torr=1/760atm 每分钟最大气体流量Q=P?S=1/760×2000=2.63（slm） 如果个工艺过程依靠对硅片的离子轰击，你会将硅片置于连接腔壁的电极上还是与腔壁隔离的电极上? 硅片置于与腔壁隔离的电极上腔壁台蒸镀机有一个表面积为5cm2的坩埚，蒸发行星盘半径为30cm。试求金的淀积速率为0.1nm/s时，所需的坩埚温度。金的密度和原子量分别为18890kg／m3和197。5cm2，r=30cm，Rd=0.1nm/s，ρ=18890kg／m3197，原子量单位为1.6606×10-27kg得： 带入Rd=0.1nm/s ，有0.0694 （℃） 由图8-8常用金属的平衡蒸气压温度曲线确定，Te≈1250℃ 淀积薄膜的应力与其淀积温度有关吗？请解释。 解释为什么薄膜应力与测量时薄膜的温度有关？为什么？薄膜中测量温度应力 以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时，若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜，应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性？ 真空蒸镀铝膜磁控溅射