第2章 真空蒸发镀膜法.ppt

四、蒸发分子的平均自由程与碰撞几率 平均自由程： 碰撞几率： 五、蒸发所需热量 三、蒸发源与基板的相对位置配置 点源与基板相对位置的配置 1．反应蒸发法 将活性气体导入真空室，使活性气体的原子、分子和从蒸发源逸出的蒸发金属原子、低价化合物分子在基板表面淀积过程中发生反应，从而形成所需高价化合物薄膜的方法。 不仅用于热分解严重，而且用于因饱和蒸气压较低而难以采用电阻加热蒸发的材料。经常被用来制作高熔点的化合物薄膜，特别是适合制作过渡金属与易分解吸收的O2、N2等反应气体所组成的化合物薄膜。 在反应蒸发中，蒸发原子或低价化合物分子与活性气体发生反应的地方有三种可能，即蒸发源表面、蒸发源到基板的空间和基板表面。 * * * 2．三温度法 从原理上讲，就是双蒸发源蒸发法。把III-V族化合物半导体材料置于坩埚内加热蒸发时，温度在沸点以上，半导体材料就会发生热分解，分溜出组分元素，淀积在基板上的膜层会偏离化合物的化学计量比。 这种方法是分别控制低蒸气压元素（III）的蒸发源温度TM 、高蒸气压元素（V）的蒸发源温度TV和基板温度TS，一共三个温度，这就是所谓的三温度法名称的由来。 3．分子束外延镀膜法（MBE） 外延是一种制备单晶薄膜的新技术，它是在适当的衬底与合适条件下，沿衬底材料晶轴方向生长一层结晶结构完整的新单晶薄膜的方法.新生单晶层叫做外延层。典型的外延方法有液相外延法、气相外延法和分子束外延法。 * * 分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法。也是一种特殊的真空镀膜工艺。它是在超高真空条件下，将薄膜诸组元素的分子束流，直接喷到衬底表面，从而在其上形成外延层的技术。 优点:能生长极薄的单晶膜层，且能够精确控制膜厚、 组分和掺杂。适于制作微波、光电和多层结构 器件，从而为集成光电和超大规模集成电路的 发展提供了有效手段。 * 薄膜的性质和结构主要决定于薄膜的成核与生长过程，实际上受到许多淀积参数的影响，如淀积速率、粒子速度与角分布、粒子性质、衬底温度及真空度等。在气相沉积技术中为了监控薄膜的性能与生长过程，必须对淀积参数进行有效的测量与监控。在所有沉积技术中，淀积速率和膜厚是最重要的薄膜淀积参数。显然，用于淀积速率测量的实时方法，对于时间的积分也能用于膜厚的测量，而非实时方法则只能测量膜厚。从原则上讲，与膜厚相关的任何物理量都能用来确定膜厚。但是，实际并非如此，因为与膜厚有关的大部分物理性质，强烈地受到微观结构的影响，即受淀积参数的影响。 * 1、膜厚的分类 薄膜是指在基板的垂直方向上所堆积的1～104的原子层或分子层。在此方向上，薄膜具有微观结构。 理想的薄膜厚度是指基片表面和薄膜表面之间的距离。由于薄膜仅在厚度方向是微观的，其他的两维方向具有宏观大小。所以，表示薄膜的形状，一定要用宏观方法，即采用长、宽、厚的方法。因此，膜厚既是一个宏观概念，又是微观上的实体线度。 由于实际上存在的表面是不平整和连续的，而且薄膜内部还可能存在着针孔、杂质、晶格缺陷和表面吸附分子等，所以，要严格地定义和精确测量薄膜的厚度实际上是比较困难的。膜厚的定义应根据测量的方法和目的来决定。 * 经典模型认为物质的表面并不是一个抽象的几何概念，而是由刚性球的原子（分子）紧密排列而成，是实际存在的一个物理概念。 * 图2-30是实际表面和平均表面的示意图。平均表面是指表面原子所有的点到这个面的距离代数和等于零，平均表面是一个几何概念。通常，将基片一侧的表面分子的集合的平均表面称为基片表面SS；薄膜上不与基片接触的那一侧的表面的平均表面称为薄膜的形状表面ST；将所测量的薄膜原子重新排列，使其密度和块状材料相同且均匀分布在基片表面上，这时的平均表面称为薄膜质量等价表面SM；根据测量薄膜的物理性质等效为一定长度和宽度与所测量的薄膜相同尺寸的块状材料的薄膜，这时的平均表面称为薄膜物性等价表面SP。由此可以定义： （1）形状膜厚dT是SS和ST面之间的距离； （2）质量膜厚dM是SS和SM面之间的距离； （3）物性膜厚dP是SS和SP面之间的距离。 * 形状膜厚dT是最接近于直观形式的膜厚，通常以um为单位。dT只与表面原子（分子）有关，并且包含着薄膜内部结构的影响； 质量膜厚dM反映了薄膜中包含物质的多少，通常以μg/cm2为单位，它消除了薄膜内部结构的影响（如缺陷、针孔、变形等）； 物性膜厚dP在实际使用上较有用，而且比较容易测量，它与薄膜内部结构和外部结构无直接关系，主要取决于薄膜的性质（如电阻率、透射率等）。 三种定义的膜厚往往满足下列不等式： dT≥dM≥dP?