第5章 固体激光器的.ppt

第5章 固体激光器;? ;5.1.1 固体激光器的基本结构与工作物质;5.1.1 固体激光器的基本结构与工作物质;5.1.1 固体激光器的基本结构与工作物质;5.1.2 固体激光器的泵浦系统;5.1.3 固体激光器的输出特性;5.1.4 新型固体激光器;5.1.4 新型固体激光器;第八讲 半导体激光器（一）; 主要内容; 半导体激光器工作原理; 半导体激光器工作原理; 光与物质相互作用的三种基本方式; E2; 粒子数反转分布; 半导体的能带和电子分布 ;能带——电子所处的能态扩展成的连续分布的能级。 价带——能量低的能带。 导带——能量高的能带。 禁带Eg——导带底的能量Ee 和价带顶能量Ev间的能量差 在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布 费米能级 ——用于描述半导体中各能级被电子占据的状态，在费米能级，被电子占据和空穴占据的概率相同。在本征半导体中， 位于禁带中央；N型半导体中 增大；在P型半导体中 减小。 ; PN结的能带和电子分布 ; PN结界面上由于多数载流子扩散运动形成内部空间电场区，该电场导致载流子的漂移运动，无外加电压时，两种运动处于平衡状态，能带发生倾斜。当外加正向电压时，内部电场被削弱，扩散运动加强，能带倾斜减小，在PN结形成一个增益区（粒子数反转分布区）可产生自发辐射。; 光学谐振腔; 激光振荡; 半导体激光器的基本结构; 双异质结（DH)LD的结构; 双异质结（DH)LD的工作原理示意图; 双异质结（DH)LD的工作原理;5.4 半导体激光器;5.4.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件;图(5-23) 固体的能带; 2．电子和空穴的统计分布 统计物理学指出：热平衡时，电子在能带中的分布不再服从玻尔兹曼分布，而服从费米分布，一个电子占据能量为E的能级的几率为;图(5-25) 费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度关系;4.在半导体中产生光放大的条件是在半导体中存在双简并能带;5.4.2 PN结和粒子数反转; 这时，在P区和N区分别出现P型简并区 和N型简并区， P区的价带顶充满了空穴，N区的导带底充满了电子。在结区造成了能带的弯曲。 自建场的作用，形成了接触??位差VD叫做P－N 结的势垒高度。P区所有能级上的电 子都有了附加位能，它等于势垒高度VD 乘以电子电荷e（VDe）;二、 粒子数反转——产生受激辐射的条件是在结区的导带底部和价带顶部形成粒子数反转分布。 ;价带顶空穴的占据几率可以用P区的准费米能级来计算 ;图(5-28) GaAs激光器的结构;二、 半导体激光器工作的阈值条件 ;三、半导体激光器的阈值电流 ;5.4.4 同质结和异质结半导体激光器 ;3.方向性: 图(5-30)给出了半导体激光束的空间分布示意图。 ; GaAs的激射光谱线宽比固体和气体激光器要宽。这是因为半导体产生激光时,粒子反转分布并不是在两个分立的能级之间,而是在导带和价带之内。每个能带都包含了许多级,这就使复合发光的光子能量有一个较宽的能量范围。由于增益谱线宽,其发射光谱的单色性就要差一些。;二、 异质结半导体激光器 ;Thank you for your attention!