集成电路期末问题(论文).docVIP

现在先进集成电路光刻工艺中曝光光源的波长为193nm或157nm，根据现代光学理论，曝光光刻胶的分辨率大约等于波长。然而，现在，在45nm器件工艺中，使用的曝光光源仍然是193nm光源，请详细回答（可以附加图形），在此工艺中使用了什么特殊技术成功解决了用193nm光源曝光45nm器件的难题（写出，波长和分辨率之间的关系式）。 【15分】 Intel基于HKMG技术45nm、32nm处理器。前栅极(gate-first)和后栅极(gate-last)两种新一代栅极堆栈方法。 从栅极形成工艺的历史来看，由最初集成电路的金属栅极到后来的多晶硅栅极再到现在最先进集成电路的金属栅极，形成了一个 “循环”。请详细阐述这个循环中各个阶段的工艺原理、不同、进步和原因。 【15分】 如图，在大规模集成电路中为了增大电容量，常把电容的电极制作成立体形式，以增大电容量，请详细叙述（用图和语言）图所示立体电容的形成工艺过程。 【15分】 （图说明：图中电容材料为多晶硅和氧化硅，其中，红线为SiO2，其他为Si） 超大规模集成电路工艺中引入了平坦化工艺，请详细阐述引入平坦化工艺的必要性和平坦化工艺解决的集成电路制造中的问题，以及当前平坦化工艺中存在的问题。 【15分】 请详细阐述在化学气相淀积工艺中低气体压力和常压气体压力淀积各自的优缺点。 【15分】 以下为答题用 ——————————————————————————————————————————— 1． 答： 在此工艺中使用的是沉浸式光刻沉浸式光刻，其区别于过去干式光刻最大的特点就是整个光刻的过程并不是发生在空气中，而是沉浸在一种光学折射率较大的透明液体中。 其中，k表示特殊应用的因子，范围是0.6--0.8；是光源波长；n是光的折射率；θ为两点夹角因此提高分辨率，减小R的首选工作就是降低光源的光波长λ。在AMD的45nm Phenom II的生产中，整个晶圆是浸泡在去离子水(无杂质，无带电离子)中的，这种情况下n=1.44，相当于将光刻的分辨率提高了1.44倍，正好满足65/45=1.44的工艺改进幅度。前栅极(gate-first)和后栅极(gate-last)两种新一代栅极堆栈方法，其中前栅极是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的退火工步完成之前便生成金属栅极，后栅极正好相反对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的退火工步完成之生成金属栅极。前栅极后栅极前栅极门限电压，但前栅极在high-k层的上下位置沉积氧化物薄层high-k绝缘体上覆层(cap layer)的目的。后栅极芯片的管芯密度同等条件下要比前栅极工艺低，需要设计方积极配合修改电路设计才可以达到与前栅极工艺相同的管芯密度级别可以很好地控制栅极材料的功函数，非常适合低功耗，高性能产品使用。前栅极后栅极轻掺杂漏注入： （1）第五层掩膜，nLDD注入 （2）nLDD注入（低能量，浅结） p轻掺杂漏注入： （1）第六层掩膜，p轻掺杂漏注入 （2）p轻掺杂漏注入（低能量，浅结） 侧墙的形成 目的：防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。 （1）淀积二氧化硅 （2）二氧化硅反刻 源/漏注入 n源/漏注入： （1）第七层掩膜，n源/漏注入 （2）n源/漏注入（中等能量） p源/漏注入： （1）第八层掩膜，p源/漏注入 （2）p源/漏注入（中等能量） （3）退火 接触孔的形成 目的：在所有硅的有源区形成金属接触。 （1）钛的淀积 （2）退火 （3）刻蚀金属钛 形成局部互连氧化硅介质 （1）氮化硅化学汽相淀积 （2）掺杂氧化物的化学汽相淀积 （3）氧化层抛光 （4）第九层掩膜，局部互连刻蚀 制作局部互连金属 （1）金属钛淀积 （2）氮化钛淀积 （3）钨淀积（化学气相淀积工艺平坦化） （4）磨抛钨 4. 答： 最初的集成电路里栅极所用的材料是金属，即金属栅极。金属氧化层半导体结构MOSFET则是作为栅极正好于一个电容器，氧化层电容器中电介质，电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数决定。采用多晶硅优点在高温源漏扩散工艺中可以利用多晶硅栅作为掩膜实现源漏掺杂的自对准多晶硅-SO的界面稳定性好通过改变多晶硅的掺杂可使MOSFET的阈值电压变化多晶硅与SO更容易形成良好的晶格匹配，接触较金属与SO 接触更好。由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺high-k栅极介电质+金属栅极晶体管有质的飞跃——源极(S)到漏极(D)的漏电降低以上栅极氧化物介电质漏电降低以上